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具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法

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一种具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法，属于半导体传感器领域。在半导体衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，势垒层表面设有3个主电极C

著录项

公开/公告号CN108321291B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-11

原文格式PDF
申请/专利权人大连理工大学;
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申请/专利号CN201810084086.9
发明设计人黄火林;曹亚庆;李飞雨;孙仲豪;
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申请日2018-01-29
分类号
代理机构大连智高专利事务所(特殊普通合伙);
代理人李猛
地址 116023 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
入库时间 2022-08-23 10:41:39

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-11

授权

授权
2018-08-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/06 申请日:20180129

实质审查的生效
2018-08-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/06 申请日:20180129

实质审查的生效
2018-07-24

公开

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2018-07-24

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公开
2018-07-24

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1. 具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法 [P] . 中国专利： CN108321291B . 2019.10.11
2. 具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法 [P] . 中国专利： CN108321291A . 2018-07-24
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