具有穿透衬底的通孔的集成电路

摘要

一种穿透衬底的通孔（TSV）芯片（200），其包括多个TSV（216），TSV（216）包括外部介电套管（221）和内部金属芯（220）以及凸出的TSV末端（217），凸出的TSV末端端部（217）包括从TSV管芯出现的侧壁。横向于凸出的TSV末端的钝化层（231）在凸出的TSV末端的侧壁的一部分上。在凸出的TSV末端的远侧部分缺少钝化层，从而提供内部金属芯的暴露部分。TSV末端包括球状远侧末端端部（217（a）），其包括第一金属层（241）和第二金属层（242），第一金属层（241）包括除焊料之外的第一金属，并且第二金属层（242）包括覆盖暴露末端部分的除焊料之外的第二金属。球状远侧末端端部覆盖TSV侧壁的一部分并在外部介电套管的最顶表面上方，并具有比在球状远侧末端端部下面的凸出的TSV末端的横截面积大≥25%的最大横截面积。