倒U栅辅控双侧栅主控双向隧穿晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及倒U栅辅控双侧栅主控双向隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有倒U栅、双侧栅和左右两侧对称的结构特征，可以通过调节源漏可互换电极的电压控制重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有可实现双向开关功能、低静态功耗和反向泄漏电流、低亚阈值摆幅的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，因此适合推广应用。