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陈树鹏; 王树龙; 刘红侠; 李伟; 汪星; 王倩琼;
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
带带隧穿; 隧穿晶体管; 凹栅; 双向电流通路;
机译:SiO_2 /高k栅堆叠电介质的对称双栅无结晶体管的直接隧穿栅电流模型
机译:对单栅,双栅和全栅隧穿隧道场效应晶体管进行建模
机译:通过p〜(++)/ n〜(+)隧穿结改善ln_0.7Ga_0.3As隧穿场效应晶体管的导通电流
机译:跨栅晶体管:在截止状态和导通状态之间改变MOSFET的沟道长度,以达到隧穿定义的场效应极限
机译:栅长短的栅凹氮化镓高电子迁移率晶体管。
机译:基于双栅隧穿晶体管的无电容DRAM垫片工程优化
机译:栅极介电质量对在200mm Si衬底上开发无金的D型和E型凹栅AlGaN / GaN晶体管的影响
机译:透水基三极管,对置栅 - 源晶体管和异质结构发射弹道场效应晶体管比较电性能的数值模拟
机译:具有平面栅,埋栅或凹栅结构的反向导通晶闸管
机译:半导体器件,即用作开关的功率晶体管,具有浮栅,以基于栅的编程或擦除状态以及隧穿栅编程和/或擦除浮栅来控制电流在源极和漏极区域之间的流动。
机译:静态RAM的读出放大器具有连接到节点的双栅晶体管,因此其背栅被施加预定电压,从而当双栅晶体管处于导通状态时其电压阈值减小
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