法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-21
授权
授权
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/45 申请日:20161201
实质审查的生效
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/45 申请日:20161201
实质审查的生效
2017-02-22
公开
公开
2017-02-22
公开
公开
机译: p型GaN基半导体中低欧姆接触电阻的Epi结构和形成低欧姆接触电阻的Epi结构的生长方法
机译: 制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译: GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置