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刘新宇; 王鑫华; 黄森; 罗卫军; 苏永波; 姚鸿飞;
中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路实验室;
机译:使用InP器件和CMOS器件的毫米波/太赫兹波电路技术
机译:使用额外的2-D空穴气体的GaN基2-D电子气器件中的电荷平衡及其对GaN基异质结构场效应晶体管动态行为的影响
机译:GaN基Gunn器件的微波势
机译:GaN基表面声波器件在光电子领域的应用
机译:GaN基传感器和高频电力电子的器件技术和集成。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:适用于高性能微波/毫米波应用的基于InP的设备和电路
机译:用于Inp基电子和光学器件制造的大面积si衬底
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
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