机译:使用额外的2-D空穴气体的GaN基2-D电子气器件中的电荷平衡及其对GaN基异质结构场效应晶体管动态行为的影响
GaN Device Technology, RWTH Aachen University, 52074 Aachen, Germany;
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GaN Device Technology, RWTH Aachen University, 52074 Aachen, Germany;
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Fraunhofer Institute of Applied Solid State Physics, 79108 Freiburg, Germany;
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GaN Device Technology, RWTH Aachen University, 52074 Aachen, Germany;
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机译:GaN基高电子迁移率晶体管中二维等离子的光谱分析
机译:飞秒的飞秒亚带动力学的基于AlGaN / GaN的高电子迁移率晶体管
机译:用于检测固定化链霉亲和素-生物素蛋白复合物的扩展门AlGaN / GaN基异质结构场效应晶体管型生物传感器的制备和表征。
机译:具有二维电子气的场效应晶体管的gan基异质结构的漏极掺杂沟道的电阻的分形性质
机译:甘油基纳米线异质结构的选择性区域外星应用在光子和电子器件中的应用
机译:在基于纤锌矿GaN的量子阱异质结构中通过具有高群速度的界面光子进行电子散射
机译:研究“高k”材料作为AlGaN / GaN基金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管(MISHFET)的替代电介质