法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-27
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8239 授权公告日:20071017 终止日期:20150304 申请日:20050304
专利权的终止
2007-10-17
授权
授权
2006-01-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-11-30
公开
公开
机译: 具有栅均匀分布的硅纳米点的存储器的制造方法
机译: 制造包括具有均匀分布的硅纳米点的栅极的存储器件的方法
机译: 制造包括具有均匀分布的硅纳米点的栅极的存储器件的方法