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Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for

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1.Maximizing transducer gain per power dissipation in 100 GHz CMOS six-stage amplifier

机译：在100 GHz CMOS六级放大器中使单位功耗的换能器增益最大化
- 作者：Suizu Masafumi;Katayama Kosuke;Motoyoshi Mizuki;Takano Kyoya;Fujishima Minoru
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
2.In situ grown AlN/AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor

机译：原位生长AlN / AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管
- 作者：Wang Zi-Hao;Chang Ping-Chuan;Lee Kai-Hsuan;Chang Shoou-Jinn
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
3.Mechanical strain altered gate and substrate currents in n and p-channel MOSFETs

机译：机械应变改变了n和p沟道MOSFET中的栅极和衬底电流
- 作者：Wu Wangran;Sun Jiabao;Zhao Yi
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
4.Dependence of semiconductor nanoparticle size on spray condition in electro-spray deposition method

机译：电喷雾沉积法中半导体纳米颗粒尺寸与喷雾条件的关系
- 作者：Doe Takahiro;Araki Shinji;Horita Masahiro;Nishida Takashi;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
5.Highly reliable a-InGaZnO thin film transistors with new SiNx gate insulators

机译：具有新型SiNx栅极绝缘体的高度可靠的a-InGaZnO薄膜晶体管
- 作者：Yamazaki Haruka;Fujii Mami;Ueoka Yoshihiro;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yasuharu;Fujiwara Masaki;Takahashi Eiji
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
6.Low power and more accurate temperature sensor with an integrated dual slope AD converter

机译：具有集成双斜率AD转换器的低功耗，更精确的温度传感器
- 作者：Nagahisa Takeshi;Kubota Shinichi;Watanabe Hirobumi
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
7.TEM observation of directly bonded interface between Si and SiC

机译：Si与SiC直接键合界面的TEM观察
- 作者：Kurumi Takamasa;Araki Ryosuke;Kinoshita Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
8.Observation of conductive filament formation in an organic non-volatile memory resistor device

机译：观察有机非易失性存储电阻器器件中导电丝的形成
- 作者：Dao T. T.;Tran T. V.;Higashimine K.;Okada H.;Mott D.;Maenosono S.;Murata H.
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
9.Fabrication of an ordered anodic aluminum oxide pore arrays with an interpore distance smaller than the nano-indentation pitch formed by ion beam etching

机译：孔距小于离子束刻蚀形成的纳米压痕间距的有序阳极氧化铝孔阵列的制备
- 作者：Wang Chonge;Ishida Yasuharu;Saitoh Ken-ichi;Shimizu Tomohiro;Shingubara Shoso;Tanaka Shukichi
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
10.Oxidation and structure scheme studies for sensitivity improvement of Si1−xGex nanowire biosensor

机译：用于提高Si1-xGex纳米线生物传感器灵敏度的氧化和结构方案研究
- 作者：Chen Chu-Feng;Chang Kow-Ming;Wang Yu-Bin;Liu Chung-Hsien;Wu Chin-Ning;Hsieh Cheng-Ting;Lai Chiung-Hui;Chang Kow-Ming;Chang Kuo-Chin
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
11.Characteristic shift of a CTFT inverter using n-type IGZO and p-type F8T2 TFTs after temperature and operation stresses

机译：在温度和工作应力作用下，使用n型IGZO和p型F8T2 TFT的CTFT逆变器的特性偏移
- 作者：Inoue Masashi;Hasegawa Takayuki;Nakanishi Takashi;Kimura Mutsumi;Nomura Kenji;Kamiya Toshio;Hosono Hideo
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
12.Artificial retina using poly-Si TFTs driven by wireless power supply

机译：使用由无线电源驱动的多晶硅薄膜晶体管的人工视网膜
- 作者：Matsumura Atsushi;Kadonome Takayuki;Higashiyama Tsuyoshi;Miura Yuta;Hachida Tomohisa;Kimura Mutsumi
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
13.Evaluation of morphology and crystal structure of Si nanowires prepared by singlestep metal assisted etching

机译：单步金属辅助刻蚀制备的硅纳米线的形貌和晶体结构评价
- 作者：Yamaguchi Takuya;Shimizu Tomohiro;Inoue Fumihiro;Wang Chounge;Inada Mitsuru;Saitoh Tadashi;Shingubara Shoso
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
14.Electroless deposition of barrier and seed layers for via last Cu-TSV metalization

机译：化学镀阻挡层和晶种层，以进行最后的Cu-TSV金属化
- 作者：Inoue Fumihiro;Shimizu Tomohiro;Arima Ryohei;Miyake Hiroshi;Shingubara Shoso
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
15.Ellipsoidal band structure effects on current-voltage characteristics in silicon nanowire transistors

机译：椭圆带结构对硅纳米线晶体管电流-电压特性的影响
- 作者：Yan Yi;Mori Nobuya
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
16.Observation of direct tunneling conduction for TDTFT in high temperatures

机译：高温下TDTFT直接隧穿传导的观察
- 作者：Kobayashi T.;Matsuo N.;Heya A.;Omura Y.;Yokoyama S.
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
17.Analysis of electron transport in AlGaN based on empirical pseudopotential method

机译：基于经验伪势方法的AlGaN中电子传输分析
- 作者：Kamiya Y.;Kodama K.;Kimizu T.;Tokuda H.;Kuzuhara M.
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
18.Minority carrier lifetime of thermal degradation in organic light emitting diode

机译：有机发光二极管中热降解的少数载流子寿命
- 作者：Park Hyun-Ae;Choi Byoung-Seon;Choi Byoung-Deog
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
19.Strain induced modulation of switching behavior in carbon nanotube tunneling field effect transistors

机译：应变诱导的碳纳米管隧穿场效应晶体管的开关行为调制
- 作者：Nakano Takashi;Ogawa Matsuto;Souma Satofumi
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
20.Electrical property of DNA field-effect transistor; Charge retention property

机译：DNA场效应晶体管的电性能；电荷保持特性
- 作者：Maeno Shoko;Takagi Shyogo;Matsuo Naoto;Yamana Kazushige;Heya Akira;Takada Tadao;Yokoyama Shin
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
21.Stress control process through piezoelectric PZT film formation for upward-buckling of diaphragm-type ultrasonic microsensors

机译：膜片式超声微传感器向上屈曲的压电PZT膜形成应力控制过程
- 作者：Yang Yi;Tanaka Hikaru;Yamashita Kaoru;Noda Minoru
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
22.Masking smoking effect to optimize bio-impedance-based alcohol-intake detection

机译：屏蔽吸烟效果以优化基于生物阻抗的酒精摄入检测
- 作者：Kojima Kazuma;Tamura Susumu;Omura Yasuhisa
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
23.Comparison of electrochromic properties of NiO films prepared by chemical bath deposition and spin coating

机译：化学浴沉积和旋涂制备的NiO薄膜的电致变色性能比较
- 作者：Nakashima Hiroyuki;Inada Mitsuru;Saitoh Tadashi
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
24.Hydrogen effect on characteristics of the resistive switching memory

机译：氢对电阻开关存储器特性的影响
- 作者：Otsuka Shintaro;Shimizu Tomohiro;Shingubara Shoso;Kurumi Satoshi;Suzuki Kaoru;Iwata Nobuyuki;Watanabe Tadataka;Takano Yoshiki;Takase Kouichi
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
25.Luminescence properties of Ge-implanted SiO2 layer on Si substrate for blue-UV light source with low-voltage drive

机译：低压驱动蓝紫外光源在硅衬底上Ge注入的SiO2层的发光特性
- 作者：Arai Nobutoshi;Harada Masatomi;Kotaki Hiroshi;Takahashi Akira;Miyagawa Go;Kinoshita Shohei;Tsuji Hiroshi;Gotoh Yasuhito
- 会议名称：《》 | 2012年
26.Frequency mixing with a tetrode vacuum transistor

机译：使用四极真空晶体管进行混频
- 作者：Yasutomo Yoshiki;Ohue Wataru;Gotoh Yasuhito;Tsuji Hiroshi
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
27.Graphene-based electro-optical modulator: Concept and analysis

机译：基于石墨烯的电光调制器：概念与分析
- 作者：Ryzhii V.;Satou A.;Otsuji T.;Yurchenko S. O.;Ryzhii M.;Ryabova N.;Shur M. S.
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
28.Numerical simulation of transport properties in InAs/Si heterojunction nanowire tunneling field effect transistors

机译：InAs / Si异质结纳米线隧穿场效应晶体管中传输特性的数值模拟
- 作者：Miyoshi Y.;Ogawa M.;Souma S.;Nakamura H.
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
29.Process variation compensation with effective gate-width tuning for low-voltage CMOS digital circuits

机译：通过有效的栅极宽度调整对低压CMOS数字电路进行过程变化补偿
- 作者：Kishiwada Yasushi;Ueda Shun;Miyawaki Yusuke;Matusoka Toshimasa
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
30.An estimation of the inversion charge influenced by quantum effect for sub-20nm MOSFETs

机译：20nm以下MOSFET量子效应影响的反型电荷估算
- 作者：Yamamoto Masahiro;Hiroki Akira;Yoon Jong Chul
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
31.Structure dependence of reduced saturation current influenced by source and drain resistances for 17 nm MOSFETs

机译：受17 nm MOSFET的源极和漏极电阻影响的降低的饱和电流的结构依赖性
- 作者：Yoon Jong Chul;Hiroki Akira;Kobayashi Kazutoshi
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
32.Improvement of drain leakage current characteristics in metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor by asymmetric source-drain structure

机译：非对称源漏结构改善金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电流特性
- 作者：Choi Byoungseon;Park Hyunae;Kim Dongsoo;Choi Byoungdeog
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
33.Monte Carlo simulation of photoexcited carriers in InAs thin films

机译：InAs薄膜中光激发载流子的蒙特卡洛模拟
- 作者：Nakamura Kenji;Mori Nobuya
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
34.A reflection layer for enhanced THz radiation from InAs thin films

机译：反射层，用于增强InAs薄膜的太赫兹辐射
- 作者：Nishisaka K.;Maemoto T.;Sasa S.;Takayama K.;Tonouchi M.
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
35.Effect of high-pressure deuterium oxide annealing on Al2O3 deposited by plasma-assisted atomic layer deposition at low temperature

机译：高压氘氧化退火对低温等离子体辅助原子层沉积Al2O3的影响
- 作者：Yoshitsugu Koji;Ohara Kosuke;Hattori Nozomu;Horita Masahiro;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
36.118GHz CMOS amplifier with group delay variation of 11.2ps and 3dB bandwidth of 20.4GHz

机译：118GHz CMOS放大器，群延迟变化为11.2ps，3dB带宽为20.4GHz
- 作者：Orii Akihiko;Katayama Kosuke;Motoyoshi Mizuki;Takano Kyoya;Fujishima Minoru
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
37.Fundamental study on junction termination structures for ultrahigh-voltage SiC PiN diodes

机译：超高压SiC PiN二极管结终端结构的基础研究
- 作者：Niwa Hiroki;Suda Jun;Kimoto Tsunenobu
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
38.Analysis of electron traps in SiO2/IGZO interface by cyclic capacitance-voltage method

机译：循环电容-电压法分析SiO2 / IGZO界面中的电子陷阱
- 作者：Ueoka Yoshihiro;Fujii Mami;Yamazaki Haruka;Horita Masahiro;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
39.Fabrication of nano-patterns using quick gel-nanoimprint process

机译：使用快速凝胶-纳米压印工艺制备纳米图案
- 作者：Araki Shinji;Zhang Min;Doe Takahiro;Lu Li;Horita Masahiro;Nishida Takashi;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
40.High-resistance ZrN thin film resistor for small and low-cost MMIC switch

机译：适用于小型低成本MMIC开关的高电阻ZrN薄膜电阻器
- 作者：Shibata Masahiro;Tokuya Hiroaki;Yamamoto Satoshi;Saimei Tsunekazu;Kato Takatoshi;Fukura Tadao
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
41.Co-evaluation of power supply noise of CMOS microprocessor using on-board magnetic probing and on-chip waveform capturing techniques

机译：利用板载磁探测和片上波形捕获技术共同评估CMOS微处理器的电源噪声
- 作者：Sasaki Yuta;Yoshikawa Kumpei;Nagata Makoto;Ichikawa Kouji
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
42.Circuit characteristic analysis considering NBTI and PBTI-induced delay degradation

机译：考虑NBTI和PBTI引起的延迟退化的电路特性分析
- 作者：Yabuuchi Michitarou;Kobayashi Kazutoshi
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
43.Transport properties of post-stressed sol-gel-based TiO2 films

机译：后应力溶胶-凝胶基TiO2薄膜的传输性能
- 作者：Kondo Yusuke;Tamura Susumu;Omura Yasuhisa
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
44.Bandgap widening of β-FeSi2 deposited by RF-sputtering method using a Si-rich FeSi4 target

机译：使用富Si的FeSi4靶通过RF溅射方法沉积的β-FeSi2的带隙加宽
- 作者：Hiehata Keiichiro;Shimamoto Yoshiaki;Nakamura Kazuhiro
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
45.Photoluminescence study on recrystallization of ultra-shallow junction towards in-line measurements

机译：面向在线测量的超浅结重结晶的光致发光研究
- 作者：Murai Gota;Okutani Masashi;Saikusa Hiroki;Yoshimoto Masahiro;Yoo Woo Sik
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
46.Crystallization mechanism of thick a-Si0.5Ge0.5 film by excimer laser annealing

机译：准分子激光退火对厚a-Si0.5Ge0.5薄膜的晶化机理
- 作者：Kino Shota;Nonomura Yuki;Heya Akira;Matsuo Naoto;Kanda Kazuhiro;Miyamoto Shuji;Amano Sho;Mochizuki Takayasu;Toko Kaoru;Sadoh Taizoh;Miyao Masanobu
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
47.Breakdown characteristics in AlGaN/GaN HEMTs with multi-field-plate structure

机译：具有多场板结构的AlGaN / GaN HEMT的击穿特性
- 作者：Asano T.;Yamada N.;Saito T.;Tokuda H.;Kuzuhara M.
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
48.Effects of ohmic metal thickness on drain current capability of AlGaN/GaN HEMTs

机译：欧姆金属厚度对AlGaN / GaN HEMT漏极电流能力的影响
- 作者：Ogasawara M.;Kodama S.;Tokuda H.;Kuzuhara M.
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
49.A polarization analyzing CMOS image sensor with metal wire grid in 65-nm standard CMOS technology

机译：采用65纳米标准CMOS技术的带有金属线栅的偏振分析CMOS图像传感器
- 作者：Wakama Norimitsu;Matsuoka Hitoshi;Ando Keisuke;Noda Toshihiko;Sasagawa Kiyotaka;Tokuda Takashi;Ohta Jun
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
50.Development of a CMOS-based implantable device for wide-area brain functional imaging

机译：基于CMOS的可植入设备的广域脑功能成像开发
- 作者：Haruta Makito;Kobayashi Takuma;Kitsumoto Chikara;Noda Toshihiko;Sasagawa Kiyotaka;Tokuda Takashi;Ohta Jun
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
51.Characterization of graphene based field effect transistors using nano probing microscopy

机译：使用纳米探测显微镜表征基于石墨烯的场效应晶体管
- 作者：Mulyana Yana;Horita Masahiro;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu;Koh Shinji
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
52.Quantum effects of ultrathin OTFT and fabrication processes by atomic hydrogen annealing

机译：超薄OTFT的量子效应及其原子氢退火制造工艺
- 作者：Horiuchi Tomoyasu;Heya Akira;Matsuo Naoto
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
53.A planar-type leakage current and impedance microsensor for detection of interaction between electrolyte-entrapping liposome and protein

机译：平面型泄漏电流和阻抗微传感器，用于检测包裹电解质的脂质体和蛋白质之间的相互作用
- 作者：Ohara Y.;Lorchirachoonkul P.;Yamashita K.;Noda M.;Alberto O. A.;Shimanouchi T.
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
54.Band structure calculation of strained graphene on hexagonal boron nitride

机译：六方氮化硼上应变石墨烯的能带结构计算
- 作者：Ohmi Takeshi;Kamakura Yoshinari
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
55.80GHz 12.2mW p-MOS cross-coupled CMOS LC oscillator

机译：80GHz 12.2mW p-MOS交叉耦合CMOS LC振荡器
- 作者：Tanimori Shunsuke;Motoyoshi Mizuki;Katayama Kosuke;Takano Kyoya;Fujishima Minoru
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
56.Effects of sensitivity enhancement by oxide passivation layer on SGOI nanowire fabrication

机译：氧化物钝化层提高灵敏度对SGOI纳米线制造的影响
- 作者：Chen Chu-Feng;Chang Kow-Ming;Wang Yu-Bin;Liu Chung-Hsien;Wu Chin-Ning;Hsieh Cheng-Ting;Lai Chiung-Hui;Chang Kow-Ming;Chang Kuo-Chin
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
57.Modeling and analysis of interference between phase-locked loops

机译：锁相环之间干扰的建模和分析
- 作者：Mizuno Junki;Yoshimura Tsutomu;Iwade Syuhei;Makino Hiroshi;Matsuda Yoshio
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
58.Atomic disorder effects on electronic states in InAs/GaAs intermediate-band solar cells

机译：原子无序对InAs / GaAs中带太阳能电池中电子态的影响
- 作者：Takahashi Hiroki;Minari Hideki;Mori Nobuya
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
59.Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes

机译：ZnO基透明自开关纳米二极管的整流效应
- 作者：Kimura Y.;Kiso T.;Higaki T.;Sun Y.;Maemoto T.;Sasa S.;Inoue M.
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
60.Nanodot-type floating gate memory with high-density nanodot array formed utilizing listeria ferritin

机译：利用李斯特菌铁蛋白形成具有高密度纳米点阵列的纳米点型浮栅存储器
- 作者：Kamitake Hiroki;Ohara Kosuke;Uenuma Mutsunori;Zheng Bin;Ishikawa Yasuaki;Yamashita Ichiro;Uraoka Yukiharu
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年
61.Effects of post annealing on IZO thin-film transistor characteristics

机译：后退火对IZO薄膜晶体管特性的影响
- 作者：Morita R.;Maemoto T.;Sasa S.
- 会议名称：《Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2012 IEEE International Meeting for》 | 2012年