用于技术缩放的MRAM集成技术

摘要

一种与缩小设备技术兼容的磁阻性随机存取存储器(MRAM)集成，包括通过一个或多个逻辑元件在共用层间金属电介质(IMD)层中形成的磁性隧道结(MTJ)。该MTJ连接至底部IMD层中的底部金属线和顶部通孔，该顶部通孔连接至顶部IMD层。该MTJ基本上在被配置成分隔该共用IMD层和底部IMD层的一个或多个底部盖层与被配置成分隔该共用IMD层和顶部IMD层的一个或多个顶部盖层之间延伸。MTJ可包括顶部电极，用以连接至顶部通孔或通过用于较小设备技术的硬掩模直接连接至顶部通孔。逻辑元件包括通孔、金属线、和半导体器件。