用于技术缩放的MRAM集成技术

摘要

一种与缩小设备技术兼容的磁阻性随机存取存储器(MRAM)集成，包括通过一个或多个逻辑元件在共用层间金属电介质(IMD)层中形成的磁性隧道结(MTJ)。该MTJ连接至底部IMD层中的底部金属线和顶部通孔，该顶部通孔连接至顶部IMD层。该MTJ基本上在被配置成分隔该共用IMD层和底部IMD层的一个或多个底部盖层与被配置成分隔该共用IMD层和顶部IMD层的一个或多个顶部盖层之间延伸。MTJ可包括顶部电极，用以连接至顶部通孔或通过用于较小设备技术的硬掩模直接连接至顶部通孔。逻辑元件包括通孔、金属线、和半导体器件。

说明书

公开领域

所公开的实施例涉及磁阻式随机存取存储器(MRAM)集成，更具体 地，示例性实施例涉及用于与随设备技术的进步和缩小设备尺寸而可缩放 的逻辑过程进行MRAM集成的技术。

背景技术

磁阻式随机存取存储器(MRAM)是使用磁性元件的非易失性存储器 技术。MRAM操作是公知的，并且可使用惯用的各种各样的MRAM、自旋 转移力矩MRAM(STT-MRAM)的示例来简要说明。STT-MRAM使用当 穿过薄膜(自旋过滤器)时变为自旋极化的电子。

图1解说了常规的STT-MRAM位单元100。STT-MRAM位单元100 包括磁性隧道结(MTJ)存储元件105(也称为“MTJ栈”或“MTJ单元”)、 晶体管101、位线102和字线103。MTJ单元105例如由被绝缘隧道阻挡层 122分隔开的钉扎层124和自由层120形成，钉扎层124和自由层120中的 每一者可保持磁矩或极化。

在MTJ单元105的设计是面内MTJ的设计的情况下，在MTJ单元105 中使用反铁磁(AFM)层和盖层(未示出)。AFM层被用于钉扎面内MTJ 的钉扎层的磁矩。盖层被用作MTJ与金属互连之间的缓冲层。在MTJ单元 105被设计为垂直MTJ的情况下，存在钉扎层124但不包括AFM层。

自由层的极化可通过在特定方向施加电流以使钉扎层和自由层的极性 或基本对准或相反来反转。通过MTJ的电路径的电阻取决于钉扎层和自由 层的极化的对准而变化。如所知的，电阻中的这种变化可被用于编程和读 取STT-MRAM位单元100。STT-MRAM位单元100还包括电路元件、源 线104、读出放大器108、读/写电路系统106和位线参考107。本领域技术 人员将领会，STT-MRAM位单元100的操作和构造是本领域已知的。

如从以上示例所见的，常规STT-MRAM位单元的形成涉及在电路板或 半导体封装上集成各种上述组件。更具体地，存储器或存储元件(例如， MTJ位单元105)必须与各种其他电路组件(本文一般称为“逻辑元件”)集 成，诸如无源组件、金属导线、晶体管、逻辑门等。一般地，此种集成要 求存储器元件与逻辑元件之间的工艺兼容性。

然而，半导体技术缩放跨集成电路的各种组件不是统一的，这是公知 的。例如，关于MRAM形成，垂直互连通路(通常称为“通孔”)的金属线 宽度和高度被认为从这一代到下一代缩放约70％。另一方面，诸如MTJ位 单元的高度、盖层厚度等的方面未能以相当步调缩放。

申请人共同拥有的Li等人的美国专利申请(美国专利公开 2012/0032287，题为“MRAMDeviceandIntegrationTechniquesCompatible withLogicIntegration”(与逻辑集成兼容的MRAM器件和集成技术)，其 当前待决并在下文中称为“Li”)公开了用于将逻辑过程(即，涉及逻辑元件 的形成)与形成MRAM器件元件(诸如，MTJ位单元)的过程相集成的各 种技术。

参照图2，解说了类似于Li所公开的实施例之一的存储器器件。更具 体地，图2解说了存储器器件200的横截面视图，其反映了Li的实施例， 其中附图标记出于本公开的目的作了修改和/或添加。以下命名适用于图2。 在与金属间电介质(IMD)层IMDx-1、IMDx和IMDx+1对应的标识为“x-1”、 “x”和“x+1”的三层中解说了存储器器件200的元件。标识IMD层的相同后 缀也被添加至相应IMD层中存在的金属/通孔元件。所解说的元件被示为划 分成与“MTJ”元件并列的“逻辑”元件。

更详细地，逻辑元件被代表性地解说为遵循以上标注的通孔和金属线， 其中通孔V’x+1和V’x分别在层x+1和x中，而金属线M’x和M’x-1分别 在层x和x-1中。

在MTJ侧，位单元MTJ202被解说为在层x中，其具有顶部电极(TE) 204和底部电极(BE)206。金属线Mx可被耦合至层x中的TE204，金属 线Mx可通过对层x中的顶部通孔top_Vx(顶_Vx)的可任选使用被进一 步耦合至层x+1中的通孔Vx+1。层x中的盖层Cap3x(盖3x)是用于隔离 和形成用于金属线Mx的金属岛的可任选特征。BE206可通过通孔Vx被 耦合至层x-1中的金属线Mx-1。

逻辑侧和MTJ侧元件两者共有的是分别在层x-1、x和x+1中的IMD 层IMDx-1、IMDx和IMDx+1。这些IMD层由所描绘的实施例中的一个或 多个盖层来分隔。绝缘盖层是用于金属线的扩散阻挡层并且可从诸如SiC、 SiN膜等的绝缘体形成。更具体地，一个或多个底部盖层(底-盖1-2)分隔 IMD层IMDx-1和IMDx+1，而一个或多个顶部盖层(顶-盖1-2)分隔IMD 层IMDx和IMDx+1。

尽管图2的存储器器件200描绘了针对当前技术的Li中的逻辑和MTJ 侧元件的稳健和有效集成，但是技术进步对层x-1、x和x+1的每一者中的 最大可用高度施加了甚至越来越多的约束。层的高度可被视为约束这些层 的盖层之间的分隔。例如，层x的高度可根据底部盖层(底-盖1-2)和顶 部盖层(顶-盖1-2)之间的距离来观察。随着将来技术演进到20nm、16nm、 10nm和之后的领域，例如，层x的高度可缩小为达到小至层x的高度将几 乎不能足够在逻辑侧容适通孔V’x和金属M’x的尺寸。如上所提及的，这 是因为金属线和通孔可随着技术演进来相对快速地缩放。然而，MRAM技 术不可能以相同速率来演进。换言之，随着技术演进，如果层x的高度达 到几乎不能足够容适通孔V’x的尺寸，则针对层x中的MTJ侧容适当前解 说的配置将是有高度挑战性的。

因此，随着技术演进和设备大小缩小，MTJ202可被挤压到金属岛Mx 中。进一步地，金属岛Mx可能需要变薄到其中该金属岛Mx可有效地变为 不存在的点。尽管Li公开了其中在层x中的MTJ侧上的组件可被降低以使 例如BE206可被沉没到底-盖2中更深的实施例，但这可随着技术演进导 致其余的底部盖层(底-盖1)上的应力增加。另一方面，抬高MTJ侧上组 件的位置可开始侵入顶部x+1层。

因此，出于众多原因，用于半导体设备中的MRAM和逻辑集成的当前 办法可能对于将来技术是不可行的，因为设备尺寸持续缩小。

概述

示例性实施例涉及关于与缩小设备技术兼容的磁阻式随机存取存储器 (MRAM)集成的系统和方法。

因此，示例性MRAM器件包括通过一个或多个逻辑元件在共用层间金 属电介质(IMD)层中形成的磁性隧道结(MTJ)。MTJ连接至底部IMD 层中的底部金属线和顶部通孔，该顶部通孔连接至顶部IMD层。MTJ基本 上在被配置成分隔共用IMD层和底部IMD层的一个或多个底部盖层与被 配置成分隔共用IMD层和顶部IMD层的一个或多个顶部盖层之间延伸。 MTJ可包括顶部电极，用以连接至顶部通孔或通过用于较小设备技术的硬 掩模直接连接至顶部通孔。逻辑元件包括通孔、金属线、和半导体器件。

另一示例性实施例涉及一种用于通过一个或多个逻辑元件在共用层间 金属电介质(IMD)层中形成磁性隧道结(MTJ)的方法，该方法包括：在 底部IMD层中形成底部金属线；形成分隔共用IMD层和底部IMD层的一 个或多个底部盖层；形成耦合至底部金属线的底部电极触点；在底部电极 触点上形成MTJ；形成分隔共用IMD层和顶部IMD层的一个或多个顶部 盖层；以及在一个或多个顶部盖层中形成顶部通孔，该顶部通孔连接至MTJ 以使该MTJ基本上在一个或多个底部盖层与一个或多个顶部盖层之间延 伸。

另一示例性实施例涉及一种磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件， 包括：在共用绝缘装置中通过用于执行逻辑功能的一个或多个装置形成的 磁性存储装置，其中该磁性存储装置连接至底部绝缘装置中的底部金属装 置和连接至顶部绝缘装置的顶部贯穿互连装置，其中MTJ基本上在用于分 隔共用绝缘装置和底部绝缘装置的底部装置与用于分隔共用绝缘装置和顶 部绝缘装置的顶部装置之间延伸。

又一示例性实施例涉及一种形成磁阻式随机存取存储器(MRAM)器 件的方法，该方法包括：在底部IMD层中图案化底部金属线；形成将底部 IMD层与共用IMD层分隔开的一个或多个底部盖层；图案化一个或多个底 部盖层中的底部电极开口用于形成底部电极并针对该底部电极用金属来填 充底部电极开口；在底部电极上沉积磁性隧道结(MTJ)；图案化该MTJ；

沉积电介质材料以形成共用IMD层，以及在MTJ的顶部执行平坦化； 在共用IMD层中图案化并沉积逻辑元件；沉积顶部盖层以供将共用IMD 层与顶部IMD层分隔开；以及在顶部盖层中图案化顶部通孔开口并在该 顶部通孔开口中沉积顶部通孔以将MTJ连接至顶部IMD层中的顶部金属 线。

附图简述

给出附图以助益各种实施例的描述，并且提供这些附图仅仅是为了解 说实施例而非对其进行限制。

图1是具有MTJ存储元件的常规MRAM电路的解说。

图2是包括根据Li的共同待决申请的逻辑元件和MRAM单元的存储 器器件的横截面视图。

图3解说了随设备技术进步的设备尺寸中的趋势。

图4A-L解说了针对与根据示例性实施例的逻辑工艺兼容的MRAM集 成的示例性存储器器件400的变型。

图4M解说了存储器器件400的MTJ侧的布局的俯视图，其基本上对 应于跨图4A-L看到的存储器器件400的大多数变型。

图5解说了详述形成图4A-L的存储器器件400的示例性过程的流程 图。

图6A-H解说了针对与根据示例性实施例的逻辑过程兼容的MRAM集 成的示例性存储器器件600的变型。

图6I解说了存储器器件600的MTJ侧的布局的俯视图，其基本上对应 于跨图6A-H看到的存储器器件600的大多数变型。

图7解说了详述形成图6A-H的存储器器件600的示例性过程的流程 图。

详细描述

在以下针对具体实施例的描述和相关附图中公开了各种实施例的各方 面。可以设计替换实施例而不会脱离本发明的范围。另外，各种实施例的 众所周知的元素将不被详细描述或将被省去以免湮没各种实施例的相关细 节。

措辞“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描 述为“示例性”的任何实施例不必被解释为优于或胜过其他实施例。同样， 术语“实施例”并不要求所有实施例都包括所讨论的特征、优点、或工作模 式。

本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而并不旨在限定各 实施例。如本文所使用的，单数形式的“一”、“某”和“该”旨在也包括复数形 式，除非上下文另有明确指示。还将理解，术语“包括”、“具有”、“包含” 和/或“含有”在本文中使用时指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元素、 和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、 元素、组件和/或其群组的存在或添加。

示例性实施例涉及MRAM的设计和制造，并且在一些方面，尤其涉及 MRAM或MTJ元件与如示例性地应用于高级设备技术的逻辑元件的改进 集成。换言之，各实施例包括MTJ元件的设计和布局，该设计和布局与具 有极小和日益缩小尺寸(例如，20nm、16nm、10nm等等)的将来设备技 术兼容。然而，将理解，示例性实施例不被解释为限定于任何特定设备技 术、电路、或将来，但另一方面，各实施例表示针对集成电路或包括MRAM 集成的半导体器件中的空间和面积的改进型利用的高效解决方案。

参照图3，解说了随设备技术进步的设备尺寸中的趋势。图3的各方 面可再次参照图2来解释。MRAM集成中的各种上述组件的高度被解说为 设备技术尺寸的函数。更具体地，例如，在共用层x中，逻辑元件由通孔 和金属高度来表示，如图2中所述。代表性地，例如，共用IMD层的高度 (例如，IMDx的高度并且另外，底-盖1-2的厚度)被认为对应于层x的 高度。从图3中可发现，通孔和金属高度可被快速缩放。在当前技术(诸 如40/45nm和28nm)中，IMD高度分别约为2800nm和1700nm，这允许 足够空间以供容适MRAM集成结构，诸如图2中解说的那些结构。然而， 随着技术进步，通孔和金属线的高度急剧地减少，并且相应地，IMD层的 高度也需要减少。例如，对于20/16nm技术而言，通孔高度为650A，而对 于10nm技术，通孔高度为400A是可能的。相应地，对于20/16nm技术， 针对图2的IMDx的IMD高度(加上底-盖1-2的厚度)将被限定于约1350A， 这留下非常小的空间以供容适MTJ位单元连同其接触金属线Mx，诸如用 于MTJ202的配置，如图2中所解说的。进一步地，盖层厚度缩放得比IMDx 层中的逻辑慢。与设备尺寸的缩减相关联的这些问题被认为在IMDx层的 高度将被限制在800A的技术(诸如10nm)中是非常严重的。

因此，示例性实施例包括MTJ侧元件的设计的改进以匹配逻辑侧中的 通孔和金属线高度的缩放。在一些情形中，与顶部和底部盖层的数量、盖 层的定位和厚度、底部电极BE、MTJ底部电极TE和/或硬掩模(HM)的 定位和厚度等的参数可被恰适地设计成适合技术进步的需求，如将在以下 进一步描述的。在一些实施例中，形成共用IMD层中的一个或多个逻辑元 件，从而在共用IMD层中形成的通孔和金属线的组合高度匹配示例性MTJ 和底部电极触点的组合高度。

现在参照图4A-L，描绘了用于具有对于缩小设备尺寸稳健的逻辑过程 的MRAM的示例性集成的第一实施例连同其各种变型。更具体地，在这些 图中解说了存储器器件400的各种方面。为了一致性和易于说明区分示例 性实施例的各方面，图4A-L采用了与关于Li的实施例的图2的上述存储 器器件200的那些特性和命名类似的解说性特性和命名。更具体地，遵循 类似的附图标记来针对类似特征，而区别方面被不同地标出。

关于图2与图4A-L之间的共性，在图4A-L中，存储器器件400被解 说为具有在“逻辑”侧下示出的一个组件集，以及在“MTJ”侧下示出的另一组 件集以解说与逻辑元件或逻辑工艺兼容的MRAM元件、或磁性存储装置、 或MTJ元件的集成。如先前，解说了三个层x-1、x和x+1，其具有被示为 IMD层(IMDx-1、IMDx和IMDx+1)的电介质或绝缘装置。一般地，属 于这些层的组件用标识该组件所属的层的恰适后缀来标记。例如，在逻辑 侧上解说了贯穿互连装置或通孔V’x+1和V’x以及金属线M’x和M’x-1。 逻辑侧还可包括其他半导体器件，但为了清楚并未解说这些设备。而在MTJ 侧上解说了通孔Vx+1和金属线Mx-1。用于分隔IMDx-1和IMDx层的两 个装置在图4A-L中被示为用于分隔IMDx-1和IMDx层的底部盖层“底-盖 1”和“底-盖2”。IMD层对于逻辑侧和MTJ侧是共用的。一般来说，对“共 用IMD层”的引用涉及MTJ形成的IMDx层。

与图2比较，仅一个用于分隔IMDx和IMDx+1层的装置被示为顶部 盖层“顶-盖”，其在图4A-L中被解说为分隔IMDx和IMDx+1层，由此可避 免被第二顶部盖层占据的空间。在图4A-L中描绘的实施例中仍可采用两个 底部盖层以提供形成MTJ元件的稳定性，这将在以下进一步讨论。如先前 所提及的，图4A-L例如适用于其中具有共用IMDx层的层x或者顶-盖和 底-盖1-2之间的分隔的高度被减少以跟上缩小设备大小(例如，20nm、 16nm、10nm技术)的情形。因此，与图2比较，可以假设：为了解释示例 性方面(但并非作为限定)，x层或顶部盖层与底部盖层之间的分隔的高度 被显著减少(例如，与关于缩小设备大小的高级设备技术成比例，其中示 例性实施例可被有利地应用)。

现在讨论一些区别特征，图4A-L解说了MTJ位单元结构的变型，其 中MTJ402连同TE404和BE406基本上在底部盖层与顶部盖层之间扩展。 换言之，与Li的存储器器件200形成对比，存储器器件400牺牲了连接至 MTJ402的金属线(例如，图2中的Mx)。相反，TE404直接连接至通孔 Vx+1以形成层x+1中的连接，因此创建了更多空间以供以关于IMDx层中 可用的减少高度形成MTJ402。

另外，与Li的存储器器件200形成对比，图4A-L的存储器器件400 还可通过将BE406和TE404与MTJ402的主体对准来减少BE406和TE 404的水平或表面面积。该对准可通过参照图4M来理解，图4M解说了存 储器器件400的MTJ侧的布局的俯视图，其基本上对应于跨图4A-L看到 的存储器器件400的大多数变型。MTJ402的MTJ栈(其可具有圆形水平 表面面积)与耦合至通孔Vx+1的TE404对准并以其为中心。在另一侧， MTJ402耦合至BE406，BE406通过BE触点(在该视图中未示出)耦合 至Mx-1。如从图4M的俯视图中看出，BE406的水平表面面积可跨图4A-L 变化，如将在以下进一步说明的。

有了对附图的进一步详细参照，图4A提供了跨图4B-L的其余附图可 见其变型的基本结构细节。例如，图4A解说了包括MTJ栈的MTJ402， 其包括自由层402f、阻挡层402b和钉扎层402c，其中MTJ栈以TE404和 BE406为中心。与IMDx-1层中的金属Mx-1的底部触点可通过BE触点412 来形成，如所示(替换地，BE412可由通孔来形成)。尽管BE触点412 可具有比BE406更小的水平表面面积(如所描绘的)，因此节省了要被沉 积以形成BE触点412的金属量，但这不是必要，并且BE触点412可形成 为任何恰适大小。MTJ402的主体可被保护性覆盖侧盖408覆盖。进一步 地，也可存在硬掩模HM410(例如，由导电材料制成以保护MTJ栈并将 MTJ402电耦合至TE404)。图4B和4C表示图4A的替换，其在一些方 面包括可参与抵达上述图4A的结构的中间结构。更具体地，在图4B中， 可形成保护性侧盖414Ab，其保护并形成围绕整个MTJ结构(包括TE404、 BE406以及扩展钉扎层402pAb)的侧壁。在图4C中，保护性侧盖414Ac 另外覆盖在扩展钉扎层402pAc上形成的扩展阻挡层402bAc。保护性侧盖 414Ab和414Ac可在两步骤图案化工艺期间保护图4A-C中解说的MTJ402 的变型，以下参照图5进一步讨论。以此方式，MTJ侧中的元件可被设计 成使得它们能容适在共用IMDx层的减少高度内并保持与逻辑侧的集成兼 容。

现在参照图4D-F，现在将讨论图4A的存储器器件400的变型。在图 4D中，BE406B的水平表面面积可被减少，并且侧盖408B可被恰适定制。 在图4E中，MTJ402的钉扎层可被加宽，并且侧盖408C可轮廓相符以覆 盖更宽的钉扎层；BE406C的水平表面面积也可被恰适地增加或加宽。侧 盖408C的水平分段在图4F的侧盖408D中被移除。

现在来到图4G-L，形成底部金属线M’x-1和Mx-1以伸出底-盖1。以 此方式，在MTJ侧，BE触点412E的宽度可被缩小，且较低层x-1中的金 属线Mx-1可与MTJ402更靠近。再次，与图4A类似，图4G表示基本结 构，而图4H和4I表示图4G的替换，其在一些方面包括可参与抵达图4G 的结构的中间结构。在图4G中更具体地，BE406E通过BE触点412E连 接至金属线Mx-1，其中BE触点412E充当贯穿底-盖2的通孔。因为该布 局可清除x层中的某些空间，或创建底部盖层与顶部盖层之间的附加分隔， 所以HM410E可被延长或由附加高度形成以将MTJ402耦合至TE404。相 应地，侧盖408E可被延长以保护MTJ402连同HM410E的附加高度。参 照图4H，可形成保护性侧盖414Eb，其保护并形成在图4G的整个MTJ结 构(包括TE404、BE406E以及扩展钉扎层402pEb)上的侧壁。在图4I 中，保护性侧盖414Ec另外覆盖在扩展钉扎层402pEc上形成的扩展阻挡层 402bEc。保护性侧盖414Eb和414Ec可在两步骤图案化工艺期间保护图4G-I 中解说的MTJ402的变型，以下参照图5进一步讨论。

在图4J中，BE406F的水平表面面积被减少且侧盖408F被相应地修 改以移除其在图4G的BE406E上形成的水平分段。在图4K中，MTJ402 的钉扎层被加宽，BE406G的水平表面面积被增加，且侧盖408G大致轮廓 相符。与图4K相比，BE406H的水平表面面积被减小且侧盖408H在图4L 中被相应地定制。

再次参照图4M，如前向所提及的，解说了存储器器件400的MTJ侧 的布局的俯视图，其基本上对应于跨图4A-L看到的存储器器件400的大多 数变型。更具体地，如所描绘的，示出IMDx-1层中的金属Mx-1是大矩形 面积，其要被当作该俯视图中的最底层。在该金属Mx-1层的顶部，形成在 俯视图中具有矩形尺寸的BE406。被描绘为MT402的MTJ栈在俯视图的 常规圆柱或圆形/椭圆形中被示为在BE406的顶部形成。TE404在MTJ402 顶部形成，且通孔Vx+1连接至TE404以便将MTJ402连接至顶部IMDx+1 层，顶部IMDx+1层可包括金属线(诸如Mx+1(未示出))。将理解，图 4M中示出的各元素的相对尺寸仅是出于示例性实施例的解说目的，且这些 相对尺寸和形状不被解释为限定。

现在参照图5，解说了详述形成存储器器件400的示例性过程的流程 图。该流程图包括以下过程：层x-1的IMDx-1中的金属线Mx-1(以及针 对逻辑侧的金属线M’x-1)被图案化－框502；接下来可沉积层x中的绝缘 底部盖层底-盖1和2－框504；底部盖层被图案化以为BE触点(例如，BE 触点412E)腾出空间，金属被沉积以形成BE触点，且在沉积MTJ层之前 执行化学机械抛光(CMP)－框506；在一些方面，薄BE层(未显式示出) 随后被沉积且执行短CMP，之后在薄BE层上沉积BE(例如，BE404)和 MTJ层或MTJ栈(例如，MTJ402，例如包括钉扎层、阻挡层、自由层和 HM410)－框508；MTJ层(或在一些方面中，自由层(诸如MTJ402的 402f))被图案化且侧盖层(例如，侧盖408)被沉积，之后使用掩模或分 隔件或通过TE掩模将钉扎层(例如，钉扎层402p)和BE图案化－框510； 在层x的MTJ侧与逻辑侧之间的区域中沉积共用IMDx，且在MTJ顶部执 行平坦化－框512；在MTJ栈上沉积TE(例如，TE404)且图案化该TE， 其中可任选地该MTJ栈或钉扎层BE层根据涉及保护性侧盖(例如，根据 图4A-C；4G-I)的两步骤MTJ蚀刻被图案化－框514；再次沉积电介质IMDx 以便填充层x的开放区域，之后可将IMDCMP工艺用于IMDx层的平坦化 －框516；底-盖1和2被图案化且通过底-盖1和2创建逻辑侧的通孔V’x， 且层x的逻辑侧的金属线M’x/通孔V’x可被沉积，同时注意不要在MTJ 侧图案化－框518；顶-盖1可被沉积在MTJ侧上的TE上，且金属线M’x 被沉积在逻辑侧上－框520；以及顶-盖被图案化以在MTJ侧上形成通孔 Vx+1以连接至TE且形成通孔V’x+1以连接至逻辑侧上的金属线M’x－框 522。

在图5的上述过程中，在根据图4A-L制造的存储器器件的情形中可能 需要三个掩模，其中第一掩模用于在框506-508中讨论的BE接触信息，第 二掩模用于形成在框508-510中讨论的MTJ栈，并且第三掩模用于如框514 中讨论地在MTJ顶部形成TE连接。可以看到存储器器件400完全与逻辑 过程(例如，框502-504和518-522)兼容。

现在参照图6A-H，描绘了用于MRAM与对于缩小设备尺寸稳健的逻 辑过程的示例性集成的第二实施例连同其各种变型。更具体地，在这些图 中解说了存储器器件600的各种方面。为了一致性和易于说明示例性实施 例的各区别方面，图6A-L采用了与图2的上述存储器器件200和图4A-L 的设备400的那些特性和命名类似的解说性特性和命名。更具体地，类似 的附图标记以下针对类似特征，而区别方面被不同地标出。为了简明起见， 本文将不重复共同方面的详细说明。

简要地，与图2和图4A-L中一样，在图6A-H中，存储器器件600被 解说为具有在“逻辑”侧下示出的一个组件集以及在“MTJ”侧下示出的另一 组件集，以解说MRAM或MTJ元件与逻辑过程的集成。如先前所述，解 说了三个层x-1、x和x+1，其具有共用IMD层IMDx-1、IMDx和IMDx+1 且属于这些层的组件用表示该组件所属层的恰适后缀来标记。例如，在逻 辑侧上解说了通孔V’x+1和V’x以及金属线M’x和M’x-1。而在MTJ侧上 解说了通孔Vx+1和金属线Mx-1。两个底部盖层(底-盖1和2)被解说为 用于分隔IMDx-1和IMDx层，且一个顶部盖层(顶-盖)被解说为分隔IMDx 和IMDx+1层。与图4A-L的情形中一样，图6A-H还描绘了其中具有共用 IMDx层的层x的高度或者顶-盖和底-盖1-2之间的分隔被(例如与图2相 比)减少以跟上缩小设备大小(例如，20nm、16nm、10nm技术)的各方 面。

另一方面，关于存储器器件600和400的差异，图6A-H一般涉及在 MTJ位单元结构上牺牲顶部电极(TE)形成、由此创建更多空间以供MTJ 侧元件集成的实施例。取代形成单独的IE，存储器器件600利用在示例性 MTJ栈中已经存在的导电硬掩模(HM)来连接至通孔Vx+1，通孔Vx+1 连接至层x+1中的IMDx+1层。因此，在一些非限制性方面，存储器器件 600可被认为适用于比存储器器件400有进一步进步(即，针对MTJ侧集 成提供甚至更小的高度)的设备技术；尽管这不是必须的，且出于设计选 择存储器器件600可被选择，即使存储器器件400还可适用于特定MRAM 集成尝试。

更具体地，图6A-H解说存储器器件600的变型，其中MTJ602包括 无需中间TE而直接在层x中耦合至MTJ侧上的通孔Vx+1的HM610。图 6A-H的其余方面基本上与图4A-L相同，且将在以下章节中更详细地讨论。 类似于图4A-L的存储器器件400，图6A-H的存储器器件600还可通过将 BE606与MTJ602的主体对准来减小BE606的水平或表面面积。该对准 可通过参照图6I来理解，图6I解说了存储器器件600的MTJ侧的布局的 俯视图，其基本上对应于跨图6A-H看到的存储器器件600的大多数变型。 MTJ602的MTJ栈(其可具有圆形水平表面面积)与通孔Vx+1对准或以 其为中心，并通过HM610(在该视图中未示出)耦合至通孔Vx+1。在另 一侧，MTJ602如先前地耦合至BE606，BE606通过BE触点(在该视图 中也未示出)耦合至Mx-1。如从图6I的俯视图中看出，BE606的水平表 面面积可跨图6A-H变化，如将在以下进一步说明的。

进一步详细参照图6A，例如，MTJ602包括形成MTJ栈并以BE606 为中心或与其对准的自由层、阻挡层和钉扎层。与IMDx-1层中的金属Mx-1 的底部触点可通过BE触点612来形成，如所示(替换地，BE触点612可 由通孔来形成)。尽管BE触点612可具有比BE606更小的水平表面面积 (如所描绘的)，因此节省了要被沉积以形成BE触点612的金属量，但这 不是必需，并且BE触点612可形成为任何恰适大小。MTJ602的主体可被 保护性覆盖(诸如，侧盖408)覆盖。如已经提及的，HM610(例如，由 导电材料制成以保护MTJ栈)电耦合至通孔Vx+1以供将层x中的MTJ602 连接至诸如层x+1中的金属线Mx+1(未示出)之类的元件。如所见，存储 器器件600还满足与逻辑过程的兼容MRAM集成的要求，其中MTJ侧元 件被设计成使得它们能被容适在共用IMDx层的减小高度内。

现在参照图6B-D，现在将讨论图6A的存储器器件600的变型。在图 6B中，BE606B的水平表面面积可被减小，并且侧盖608B可被恰适定制。 在图6C中，MTJ602的钉扎层可被加宽，并且侧盖608C可轮廓相符以覆 盖更宽的钉扎层；BE606C的水平表面面积也可被恰适地增加或加宽。侧 盖608C的水平分段在图6D的侧盖608D中被移除。

现在来到图6E-H，与图4G-L中描绘的实施例类似，形成底部金属线 M’x-1和Mx-1以伸出底-盖1。以此方式，在MTJ侧，BE触点612E的宽 度可被缩小，且较低层x-1中的金属线Mx-1可与MTJ602更靠近。在图 6E中更具体地，BE606E通过BE触点612E连接至金属线Mx-1，其中BE 触点612E充当贯穿底-盖2的通孔。因为该布局可清出x层中的某些空间， 或创建底部盖层与顶部盖层之间的附加分隔，所以HM610E可被延长或由 附加高度形成以将MTJ602耦合至通孔Vx+1。相应地，侧盖608E可被加 大以保护MTJ602连同HM610E的附加高度。在图6F中，BE606F的水 平表面面积被减小且侧盖608F被相应地修改以移除其在图6E的BE606E 上形成的水平分段。在图6G中，MTJ602的钉扎层被加宽，BE606G的水 平表面面积被增加，且侧盖608G大致轮廓相符。与图6G相比，BE606H 的水平表面面积被减小且侧盖608H被相应地定制。

现在参照图7，解说了详述形成存储器器件600的示例性过程的流程 图。该流程图包括以下过程：层x-1的IMDx-1中的金属线Mx-1(以及针 对逻辑侧的金属线M’x-1)被图案化－框702；接下来可沉积层x中的绝缘 底部盖层(底-盖1和2)－框704；底部盖层被图案化以为BE触点(例如， BE触点612)腾出空间，用于BE触点的金属随后被填充，并执行化学机 械抛光(CMP)－框706；薄BE层或膜随后被沉积且执行短CMP，之后 在薄BE层上沉积BE(例如，BE604)和MTJ层或MTJ栈(例如，MTJ602， 例如包括钉扎层、阻挡层、自由层和HM610)－框708；MTJ层被图案化 且侧盖层(例如，侧盖608)被沉积，且BE使用掩模或间隔物被图案化－ 框710；在层x的MTJ侧与逻辑侧之间的区域中沉积共用IMDx，且在MTJ 顶部执行平坦化－框712；底-盖1和2被图案化且通过底-盖1和2创建逻 辑侧的通孔V’x，且层x中逻辑侧的金属线M’x可被沉积，同时注意不要 在MTJ侧图案化－框714；顶-盖1可被沉积在MTJ侧上的硬掩模(例如， HM610)上，且金属线M’x被沉积在逻辑侧上－框716；以及顶-盖1被图 案化以在MTJ侧上形成通孔Vx+1以连接至HM且形成通孔V’x+1以连接 至逻辑侧上的金属线M’x－框718。

与图5中描述的用于形成根据图4A-L的存储器器件400的过程形成对 比，可以看到在上述图7形成根据图6A-H的存储器器件600的过程中涉及 更少步骤。这是因为在图7的过程中不要求与形成TE有关的步骤。相应地， 图7的过程中使用的掩模数量也低于关于图5所讨论的那些掩模数量。更 具体地，对于图7的过程，在制造根据图6A-H的存储器器件600的情形中 可能仅需要两个掩模，其中第一掩模用于框706-708中讨论的BE触点制造 而第二掩模用于形成框708-710中讨论的MTJ栈。可以看到存储器器件600 也完全与逻辑过程(例如，框702-704和714-718)兼容。

本领域技术人员将领会，信息和信号可使用各种不同技术和技艺中的 任何一种来表示。例如，贯穿上面描述始终可能被述及的数据、指令、命 令、信息、信号、位(比特)、码元、和码片可由电压、电流、电磁波、 磁场或磁粒子、光场或光粒子、或其任何组合来表示。

此外，本领域技术人员将领会，结合本文中所公开的实施例描述的各 种解说性逻辑块、模块、电路、和算法步骤可被实现为电子硬件、计算机 软件、或两者的组合。为清楚地解说硬件与软件的这一可互换性，各种解 说性组件、块、模块、电路、以及步骤在上面是以其功能性的形式作一般 化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于 整体系统的设计约束。技术人员对于每种特定应用可用不同的方式来实现 所描述的功能性，但这样的实现决策不应被解读成导致脱离了本发明的范 围。

结合本文中所公开的实施例描述的方法、序列和/或算法可直接在硬件 中、在由处理器执行的软件模块中、或者在这两者的组合中体现。软件模 块可驻留在RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM 存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM或者本领域中所知的任何其 他形式的存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器从而该处理器能从/向 该存储介质读写信息。在替换方案中，存储介质可以被整合到处理器。

因此，本发明的实施例可包括实施用于随缩小设备大小和将来设备技 术兼容且稳健的逻辑过程的MRAM集成的方法的计算机可读介质。相应 地，本发明并不限于所解说的示例且任何用于执行文本所描述的功能性的 手段均被包括在本发明的实施例中。

尽管上述公开示出了本发明的解说性实施例，但是应当注意到，在其 中可作出各种更换和改动而不会脱离如所附权利要求定义的本发明的范 围。根据本文中所描述的本发明实施例的方法权利要求的功能、步骤和/或 动作不必按任何特定次序来执行。此外，尽管本发明的要素可能是以单数 来描述或主张权利的，但是复数也是已料想了的，除非显式地声明了限定 于单数。