一种GaN HEMT热稳态特性的快速测量方法

摘要

本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种GaN HEMT热稳态特性的快速测量方法，包括如下步骤：选取GaN HEMT器件的多个偏置电压值，测量获得GaN HEMT器件的初始直流I‑V特性；根据GaN HEMT器件的初始直流I‑V特性，计算获得对应多个偏置电压下的静态功耗；将所述静态功耗按照升序排列，并根据所述静态功耗升序排列对应的偏置电压值顺序，对所述GaN HEMT器件施压，重新测量GaN HEMT器件的热稳态特性，从而提高了测量效率。