一种硅片直接键合方法

摘要

本发明公开了一种硅片直接键合方法，属于微电子技术领域。该方法是将经过清洗的抛光片，依次进行等离子激活处理、化学液清洗、低真空直接键合和退火处理，获得所需硅键合片；其中：等离子激活前的清洗是将硅片依次经过DHF、SC‑1和SC‑2清洗；等离子激活处理工艺参数为：采用N₂激活，气体压力0.1‑1mbar，激活时间1‑10s，射频功率55‑120W；采用本发明方法可以大量稳定的生产无空洞、无氧化层的硅硅键合片，可以根据不同需求选用不同电阻率的硅片进行键合，所制备的键合片可以作为超厚外延片或超厚硅片进行使用。