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一种新颖的低温硅片直接键合技术

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本文提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.

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来源
《中国微米纳米技术第七届学术年会》|2005年|471-472|共2页
会议地点大连
作者
徐晨; 霍文晓; 杨道虹; 赵慧; 赵林林; 沈光地;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体激光器件;引线技术;
关键词
微机电系统; 直接键合技术; 低温硅片; CF4; 等离子体激活处理;

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