CF_4等离子处理在低温硅片直接键合中的应用

摘要

键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理,经亲水处理后,完成对硅片的预键合。再在N2保护下进行40h 300℃退火,获得硅片的低温直接键合。硅片键合强度达到了体硅的强度。实验表明,CF4对硅片的处理不仅可以激活表面,而且可以对硅片表面进行有效的抛光,大大加强了预键合的效果。