控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性

摘要

提供了一种用于控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性的装置、系统和方法。在一个实施方式中，等离子体处理装置可以包括等离子体处理室和布置在所述等离子体处理室之上的RF罩。介电窗可以将等离子体处理室和RF罩分开。装置可以包括布置在介电窗之上的等离子体生成线圈。等离子体生成线圈能够进行操作以在被激励时在等离子体处理室中生成电感耦合等离子体。装置还包括布置在RF罩内接近等离子体生成线圈的至少一部分的导电表面。导电表面被布置成在等离子体生成线圈被激励时在导电表面与等离子体生成线圈之间生成方位角可变电感耦合。