控制等离子体处理室中光致抗蚀剂蚀刻步骤的方法和蚀刻光致抗蚀层的方法

摘要

本发明公开了一种控制等离子体处理室中光致抗蚀剂蚀刻步骤的方法。光致抗蚀剂蚀刻步骤设计成将沉积在衬底表面上的光致抗蚀层向后蚀刻成具有预定光致抗蚀剂厚度的更薄的光致抗蚀层。该方法包括使用等离子体蚀刻过程蚀刻光致抗蚀层，并检测来自该光致抗蚀层的干涉图案。该方法还包括在干涉图案的分析表明达到该预定光致抗蚀剂厚度时终止该光致抗蚀剂蚀刻步骤，从而该预定光致抗蚀剂厚度大于零。