首页> 中国专利> 金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法

金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法

摘要

使用由从氟气和氟化物气组和氮气和氮化合物气组中选出的至少1种气体与碘化氢混合的气体所形成的等离子体,对没有被光致抗蚀膜覆盖的暴露金属氧化物进行干蚀刻。接着,将该蚀膜暴露于氧等离子体中后,再使用由氟气和氟化物气组和氮气和氮化合物气组中选出的至少1种气体与氧气混合气体的等离子体,蚀刻去除残留的抗蚀膜。至少,规定从氟气和氟化物气组,氮气和氮化合物气组中选出的气体和碘化氢或氧气的流量条件,必须满足特定的范围。

著录项

  • 公开/公告号CN1213708A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1999-04-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三井化学株式会社;

    申请/专利号CN98117918.5

  • 申请日1998-08-08

  • 分类号C23F1/12;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人钟守期

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 13:17:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2004-07-14

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2000-08-30

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1999-04-14

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号