具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET及其制造方法，是在P型SOI衬底上制造射频SOI功率NMOSFET，其特点是具有台阶型栅氧化层，其结构自下而上依次为：P型硅衬底层1、二氧化硅埋层2、薄硅膜层3、台阶型栅氧化层4和台阶型栅多晶硅层5，薄硅膜层有外围局部场氧化区34、中间P型阱区31和N⁺型源区32、N⁺型漏区33。其制造方法是利用CMOS工艺，依次采用下列步骤：选择P型SOI衬底；P型阱的制作；局部场氧化区的制作；台阶型栅氧化层的制作；台阶型栅多晶硅层的制作和处理；N⁺型源区和N⁺型漏区的制作；电极引出加工以及形成欧姆接触和保护。本发明解决了NMOSFET在材料、工艺、可靠性、可重复性、生产成本、反向击穿电压等诸多问题。