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赵洪辰; 海潮和; 韩郑生; 钱鹤;
中国科学院微电子研究所;
SOI; 总剂量辐照; 氮化H2-O2; 合成栅介质; H型栅;
机译:辐照的薄栅氧化物部分耗尽的SOI nMOSFET上的电应力
机译:伽玛辐射后辐射硬化H栅PD SOI NMOSFET的热载流子可靠性研究
机译:双栅结构对PD SOI nMOSFETS中线性扭结效应的影响
机译:22nm节点体和FD-SOI CMOS技术的PD-SOI HALO注入或接地背栅掺杂的BF2,In,Ga,C + Ga和In + BF2掺杂剂的比较
机译:完全耗尽的Δ沟道SOI NMOSFET的实现
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:通过3D TCAD仿真研究了基于连接的单栅SOI MOSFET的连接型单栅SOI MOSFET的SEU敏感性
机译:在恶劣环境中的双栅sOI / mOs器件和电路
机译:制造完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)器件的方法
机译:完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)组合器件
机译:具有用于降低阈值电压(Vt)的栅体隧道电流区域的部分耗尽(PD)绝缘体上半导体(SOI)场效应晶体管(FET)结构及其形成方法
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