Lab of Nanofabrication and Novel Devices Integration, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;
single-electron transistor; in-plane side gates; electron beam lithography; coulomb staircase;
机译:带有平面内栅极的基于SOI的单电子晶体管的制造和特性
机译:带有平面门单电子晶体管的传输型射频单电子晶体管
机译:纳米级单电子晶体管制造的新方法:电子束诱导的Pt沉积和隧道势垒的原子层沉积
机译:基于SOI的单电子晶体管的制造方法,具有平面侧门
机译:电解质镀钨氧化物晶体管:制造,工作机构,器件性能
机译:具有有机和无机混合钝化层的化学组装单电子晶体管上的三输入门逻辑电路
机译:通过扫描探针光刻技术制造的Ga [Al]中的面内栅极单电子晶体管