具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET

摘要

本实用新型涉及一种具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET及其制造方法，是在P型SOI衬底上制造射频SOI功率NMOSFET，其特点是具有台阶型栅氧化层，其结构自下而上依次为：P型硅衬底层1、二氧化硅埋层2、薄硅膜层3、台阶型栅氧化层4和台阶型栅多晶硅层5，薄硅膜层有外围局部场氧化区34、中间P型井区31和N⁺型源区32、N⁺型漏区33。本实用新型解决了NMOSFET在材料、工艺、可靠性、可重复性、生产成本、反向击穿电压等诸多问题。