法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-08
授权
授权
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/32 申请日:20170112
实质审查的生效
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20170112
实质审查的生效
2017-05-31
公开
公开
2017-05-31
公开
公开
机译: 通过消除生长过程中的氮极性小面而在异质衬底上生长的无堆叠缺陷的半极性和非极性GaN
机译: 面三维计算机图形生成方法和装置,面三维计算机图形生成程序和存储介质存储面三维计算机图形生成程序
机译: 具有非均匀晶格面走向的单晶SiC衬底