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片上对称电感的射频模型

摘要

一种片上对称电感的射频模型,所述射频模型适于模拟所述片上对称电感的衬底涡流效应,所述片上对称电感和半导体衬底之间隔离有介质层,所述射频模型包括N个衬底涡流等效电路,以及N‑1个衬底涡流变化等效电路,适于模拟所述片上对称电感的外圈与内圈的衬底涡流变化趋势,N≥1。采用上述方案可以提高片上对称电感的品质因子Q及其电感值的模拟精度。

著录项

  • 公开/公告号CN105808844B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201610129781.3

  • 发明设计人 张健;

    申请日2016-03-08

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人潘彦君

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 10:22:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-04

    授权

    授权

  • 2016-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20160308

    实质审查的生效

  • 2016-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20160308

    实质审查的生效

  • 2016-07-27

    公开

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  • 2016-07-27

    公开

    公开

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