III-V族半导体材料的光伏器件及其形成方法

摘要

本发明的实施方案通常涉及光伏器件。在一个实施方案中，形成砷化镓基光伏器件的方法包括：提供半导体结构，所述结构包括包含砷化镓的吸收层。提供在半导体结构的p‑n接面中的旁路功能，其中在反向偏压条件下p‑n接面以受控方式通过齐纳击穿效应击穿。