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形成晶片级别芯片规模封装的方法及由此形成的封装

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金层(405)设置在带突点的晶片(205)上的铜柱(210)的上表面(225)上。然后将涂覆材料(410)施加到低于铜柱(210)的高度处，设置腐蚀剂以除去金层(405)上的涂覆材料，并除去附着到铜柱(210)侧面的涂覆材料(410)。然后将焊料球(405)设置在铜柱(210)的端部，铜柱(210)伸入到焊料球(405)内。在可替代实施例中，焊料球首先附着到铜柱的自由端，施加涂覆材料以密封半导体晶片上的焊料球和铜柱。然后使用腐蚀剂除去部分涂覆材料，从而充分露出焊料球。

著录项

公开/公告号CN1315187C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-05-09

原文格式PDF
申请/专利权人先进封装解决方案私人有限公司;
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申请/专利号CN02803799.5
发明设计人罗密欧伊曼纽尔P.阿尔瓦莱斯;约翰布莱尔;周辉星·吉米;
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申请日2002-06-12
分类号H01L23/485(20060101);
代理机构11018 北京德琦知识产权代理有限公司;
代理人王琦;宋志强
地址新加坡实龙岗北4道54号
入库时间 2022-08-23 08:59:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-04-15

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20090313 申请日:20020612

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
2007-05-09

授权

授权
2004-08-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-03-31

公开

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