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包括在漂移区中波动分布的净掺杂的半导体器件

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摘要

本发明公开了一种半导体器件，其包括具有相对的第一侧和第二侧的半导体主体。该半导体器件进一步包括半导体主体中的、在第一侧和pn结之间的漂移区。在该第一侧和第二侧之间沿着所述漂移区的垂直延伸的至少50％，该漂移区的净掺杂的分布是波动的，并且包括在1x10

公开/公告号CN104810392B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-04

原文格式PDF
申请/专利权人英飞凌科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201510039578.2
发明设计人 E·法尔克;A·黑特尔;M·普法芬莱纳;F·J·桑托斯罗德里奎兹;D·施罗格尔;H-J·舒尔策;A·R·斯特格纳;J·G·拉文;
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申请日2015-01-27
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人郑立柱
地址德国诺伊比贝尔格
入库时间 2022-08-23 10:21:28

1. 包括在漂移区中波动分布的净掺杂的半导体器件 [P] . 中国专利： CN104810392B . 2018.12.04
2. 无损测量半导体器件的漂移区的掺杂浓度和分布的方法 [P] . 中国专利： CN1243948A . 2000-02-09
3. Semiconductor Device Including Undulated Profile of Net Doping in a Drift Zone [P] . 美国专利： US2015214347A1 . 2015-07-30

机译：半导体器件，包括漂移区净掺杂的无波动分布
4. Semiconductor device including undulated profile of net doping in a drift zone [P] . 美国专利： US10211325B2 . 2019-02-19

机译：半导体器件，包括漂移区中净掺杂的波动轮廓
5. Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Undulated Profile of Net Doping in a Drift Zone [P] . 美国专利： US2019157435A1 . 2019-05-23

机译：在漂移区中制造具有未掺杂净掺杂分布的半导体器件的方法