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无损测量半导体器件的漂移区的掺杂浓度和分布的方法

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本发明提供了用于确定在某些半导体器件,例如高压横向双扩散金属氧化物半导体(HVLDMOS)晶体管中掺杂浓度的一种方法。在将该器件施加一个反向偏置电压V的同时,利用一束辐射能量(例如通过一个显微镜聚焦到该器件上的一束激光)沿该器件的长度方向扫描。所得的辐射束感生电流信号用于测量给定偏置电压V下的耗尽层宽度W,该宽度W随着偏置电压V的升高而增大。根据一组电压值V和对应的宽度值W,利用一个适合的数学算法可以确定相应的掺杂浓度N

著录项

公开/公告号CN1243948A

专利类型发明专利
公开/公告日2000-02-09

原文格式PDF
申请/专利权人西门子公司;
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申请/专利号CN99107679.6
发明设计人 H·鲍姆加特;
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申请日1999-03-27
分类号G01N23/00;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人邹光新
地址联邦德国慕尼黑
入库时间 2023-12-17 13:33:50

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2005-10-05

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2001-04-18

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
2000-02-09

公开

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1. 无损测量半导体器件的漂移区的掺杂浓度和分布的方法 [P] . 中国专利： CN1243948A . 2000-02-09
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