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Electron Devices Meeting, 1963 International
Electron Devices Meeting, 1963 International
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1.
A two-cavity extended interaction klystron yielding 65 effciency
机译:
两腔扩展相互作用速调管,效率达65%
作者:
Leidigh W.J.
;
Preist D.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
2.
A new alpha-numeric display device using cold cathode glow discharge
机译:
使用冷阴极辉光放电的新型字母数字显示设备
作者:
Boyer J.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
3.
A 100 Gc high-power backward-wave oscillator
机译:
一个100 Gc大功率反向波振荡器
作者:
Sedin J.W.
;
Slocum K.W.
;
Purnell M.V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
4.
A novel method of nondestructive semiconductor device measurements
机译:
一种无损半导体器件测量的新方法
作者:
Everhart T.E.
;
Wells O.C.
;
Matta R.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
5.
X-ray diffraction microscopy: A new approach to the study of failure mechanism in semiconductor devices
机译:
X射线衍射显微镜:研究半导体器件失效机理的新方法
作者:
Schwuttke G.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
6.
A voltage-controlled beam splitter and a voltage-controlled scanner for laser systems
机译:
激光系统的电压控制分束器和电压控制扫描仪
作者:
Rose H.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
7.
A silicon Hall element for application in an analog multiplier
机译:
用于模拟乘法器的硅霍尔元件
作者:
Mengali O.J.
;
Shilliday T.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
8.
Theory and applications of a three dimensional multiplier by means of magnetoresistance
机译:
磁阻三维乘法器的理论与应用
作者:
Sun S.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
9.
Annular—A new semiconductor device structure
机译:
环形—一种新的半导体器件结构
作者:
Finch J.R.
;
Haenichen J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
10.
A high-voltage, medium-power silicon planar epitaxial switching transistor
机译:
高压,中功率硅平面外延开关晶体管
作者:
Castrucci P.P.
;
Martin J.P.
;
Folsom R.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
11.
A 1 watt, 1 Gc silicon transistor
机译:
1瓦,1 Gc硅晶体管
作者:
Wolf H.
;
Parker G.
;
Lance D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
12.
A 5 watt, 500 Mc transistor
机译:
5瓦500 Mc晶体管
作者:
Carley D.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
13.
A fast-space-charge-wave electron beam duplexer
机译:
快速空间电荷波电子束双工器
作者:
Brandenstein A.
;
Itzkan I.
;
Knudsen K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
14.
A K-band inverted coaxial magnetron for 20 nanosecond pulse operation
机译:
用于20纳秒脉冲操作的K波段倒置同轴磁控管
作者:
Drexler J.
;
Fenster P.
;
Feulner F.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
15.
A digital electron deflection system
机译:
数字电子偏转系统
作者:
Speth A.
;
Tallerico P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
16.
A solution to the problem of spontaneous deflection of the beam in TWT's with low helix voltage
机译:
解决低螺旋电压的TWT中光束的自发偏转问题
作者:
Maurer D.W.
;
Francois E.E.
;
Zacharias A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
17.
A line of ultra-low-noise amplifiers with integrated solid-state power supply
机译:
一系列带有集成固态电源的超低噪声放大器
作者:
Israelsen B.P.
;
Haegele R.W.
;
Mauch F.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
18.
A lightweight single reversal field focused very low-noise traveling-wave tube
机译:
轻巧的单反向场聚焦极低噪声行波管
作者:
Niclas K.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
19.
The diftron — A new low-noise cyclotron wave amplifier
机译:
diftron —新型低噪声回旋波放大器
作者:
Hrbek G.
;
Adler R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
20.
A 1 kw cw traveling-wave tube amplifier for 35 Gc
机译:
适用于35 Gc的1 kw连续波行波管放大器
作者:
Sedin J.W.
;
Slocum K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
21.
Development of a broadband hollow beam, modulating anode L-band klystron at the multi-megawatt level
机译:
宽带中空束的开发,以兆瓦级调制阳极L波段速调管
作者:
Fox L.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
22.
Results of using a varactor emphasizing charge storage effects in a high power VHF multiplier
机译:
使用变容二极管来强调高功率VHF乘法器中电荷存储效应的结果
作者:
Taylor W.E.
;
Bentivegna M.J.
;
Schaffner G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
23.
A three terminal high current A. C. switch
机译:
三端大电流交流开关
作者:
Gentry F.E.
;
Scace R.I.
;
Flowers J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
24.
A ruggedized storage tube utilizing advanced techniques of construction and mathematical analysis
机译:
坚固的存储管,利用先进的构造和数学分析技术
作者:
Frohock W.S.
;
Gunther R.C.
;
Spencer G.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
25.
A high-speed, medium-power silicon planar epitaxial switching transistor
机译:
高速,中功率硅平面外延开关晶体管
作者:
Ruggles R.L.
;
Pieczonka W.A.
;
Folsom R.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
26.
A 45 Gc bandwidth low noise TWT for the 3mm region
机译:
适用于3mm区域的45 Gc带宽低噪声TWT
作者:
Kinaman E.W.
;
Leaf S.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
27.
A 5 MW peak 300 kW average power L-band klystron
机译:
5 MW峰值300 kW平均功率L波段速调管
作者:
Prommer A.J.
;
Smith A.J.
;
Watson W.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
28.
Symmetrical silicon epitaxial transistors
机译:
对称硅外延晶体管
作者:
Sasaki I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
29.
Depressed collectors for high power crossed-field amplifiers
机译:
大功率交叉场放大器的低电压集电极
作者:
Shaw E.K.
;
Kooyers G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
30.
Tunnelling planar silicon triode with pentode-like characteristics
机译:
隧道状具有五极特性的平面硅三极管
作者:
Nathanson H.C.
;
Szedon J.R.
;
Jordan N.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
31.
Report on the one-megawatt, CW, X-band project
机译:
关于1兆瓦,连续波,X波段项目的报告
作者:
Luebke W.R.
;
Leidigh W.J.
;
Caryotakis G.
;
Wessel-Berg T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
32.
Avalanche characterization and rating of high voltage PN junctions
机译:
高压PN结的雪崩特性和额定值
作者:
Comstock W.R.
;
Gentry F.E.
;
Read J.S.
;
Warburton W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
33.
Moving target indicator device
机译:
移动目标指示装置
作者:
Yaggy L.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
34.
Photoconductor-electroluminescent type image intensifiers in sandwich construction
机译:
夹心结构中的光电导体电致发光图像增强器
作者:
Szepesi Z.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
35.
Junction geometries to improve power output of incoherent light from GaAs diodes
机译:
结几何形状可改善GaAs二极管非相干光的功率输出
作者:
Liebert R.B.
;
Keshavan B.V.
;
Lamorte M.F.
;
West L.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
36.
An optically coupled amplifying device
机译:
光耦合放大装置
作者:
Earle D.H.
;
Soshea R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
37.
Saturable Hall effect ternary logic element
机译:
饱和霍尔效应三元逻辑元件
作者:
Kooi C.F.
;
Weaver J.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
38.
Hall-effect vector-product generators
机译:
霍尔效应矢量积发生器
作者:
Saraga W.
;
Galpin R.K.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
39.
Optimal design of high frequency power transistors
机译:
高频功率晶体管的优化设计
作者:
Clarke R.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
40.
Recent advances with the electrostatically focused high power amplifier klystrons
机译:
静电聚焦大功率放大器速调管的最新进展
作者:
Hechtel J.R.
;
Mizuhara A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
41.
Rotary-tuned magnetrons
机译:
旋转调谐磁控管
作者:
Edwards R.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
42.
Gain vs. frequency characteristic of very broadband crossed-field amplifiers
机译:
超宽带交叉场放大器的增益与频率特性
作者:
Hess P.N.
;
Hull J.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
43.
High power, high efficiency TWT'S
机译:
高功率,高效率的TWT
作者:
Cerko R.S.
;
Trumpler J.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
44.
Integrated circuits using epitaxial diffusion and thin-film techniques
机译:
使用外延扩散和薄膜技术的集成电路
作者:
Wolf H.
;
Jekat H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
45.
Design and performance of microwave phototubes using transmission electron multipliers
机译:
使用透射电子倍增器的微波光电管的设计和性能
作者:
Blattner D.J.
;
Johnson H.C.
;
Morton G.A.
;
Ruedy J.E.
;
Sterzer F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
46.
Forward conduction and minority carrier storage in the Schottky barrier diode
机译:
肖特基势垒二极管中的正向传导和少数载流子存储
作者:
Krakauer S.M.
;
Soshea R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
47.
Gold-epitaxial silicon high frequency diodes
机译:
金外延硅高频二极管
作者:
Kahng D.
;
DAsaro L.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
48.
Glass passivated GaAs chip tunnel diode
机译:
玻璃钝化GaAs芯片隧道二极管
作者:
Im S.S.
;
Butler J.H.
;
Masterson F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
49.
Secondary electron conduction in low density targets for signal amplification and storage in camera tubes
机译:
低密度目标中的二次电子传导,用于信号放大和存储在相机管中
作者:
Goetze G.W.
;
Boerio A.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
50.
The super power CW amplitron
机译:
超级功率连续波放大器
作者:
Brown W.C.
;
Skowron J.F.
;
MacMaster G.H.
;
Buckley J.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
51.
Thin film conductive memory effects applicable to electron devices
机译:
适用于电子设备的薄膜导电记忆效应
作者:
Lehrer N.H.
;
Ketchpel R.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
52.
Spiral focusing for cathode-ray tubes
机译:
阴极射线管的螺旋聚焦
作者:
Schlesinger K.
;
Rate E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
53.
Space-charge-limited currents and field emission currents in thin-film CdS diodes
机译:
薄膜CdS二极管中的空间电荷限制电流和场发射电流
作者:
Zuleeg R.
;
Muller R.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
54.
Dynamic operation of the in-line cryotron in bistable circuits
机译:
双稳态电路中串联低温电子管的动态运行
作者:
Brennemann A.E.
;
Seki H.
;
Seraphim D.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
55.
Proposal for obtaining laser beat-frequency radiation in the far-infra red by the Smith-Purcell effect
机译:
通过史密斯-珀塞尔效应获得远红外激光拍频辐射的建议
作者:
Smith N.W.W.
;
Fox A.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
56.
Theory of Hall effect isolators for tunnel diode amplifiers
机译:
隧道二极管放大器的霍尔效应隔离器原理
作者:
Kroemer H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
57.
Hall effect devices for low level magnetic detection
机译:
用于低水平磁检测的霍尔效应设备
作者:
Milligan N.P.
;
Burgess J.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
58.
DC to AC conversion using magnetoresistance
机译:
使用磁阻的直流到交流转换
作者:
Bechtel R.
;
Grannemann W.W.
;
Harper W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
59.
Theoretical and experimental investigations on magnetoresistance at microwave frequencies
机译:
微波频率下磁阻的理论和实验研究
作者:
Strutt M.J.O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
60.
Characteristics of some experimental GaAs-Ge wide-gap emitter transistors fabricated by the epitaxial-diffusion process
机译:
外延扩散制备的一些实验GaAs-Ge宽禁带发射极晶体管的特性
作者:
Yu H.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
61.
High temperature performance of recent GaAs transistors
机译:
最近的GaAs晶体管的高温性能
作者:
Henneke H.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
62.
Extended interaction output circuits
机译:
扩展交互输出电路
作者:
Meddaugh G.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
63.
High-power beam-plasma amplifier
机译:
大功率束等离子体放大器
作者:
Eastman L.F.
;
Clark J.
;
Marantz H.
;
Kerr D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
64.
The 'Crossed-circle' periodic permanent magnet focusing structure for high power traveling wave tubes
机译:
大功率行波管的“交叉圆”周期性永磁聚焦结构
作者:
Meyers H.
;
Shoemaker M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
65.
An instantly operational (0.1 sec.) 250 watt UHF communications and telemetry power tube
机译:
即时运行(0.1秒)的250瓦UHF通信和遥测功率管
作者:
Jolly J.A.
;
Kendall J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
66.
Deflecting spherical lens
机译:
偏光球面镜
作者:
Mancebo L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
67.
Secondary emission measurements of semiconductors and dielectrics
机译:
半导体和电介质的二次发射测量
作者:
Siedband M.P.
;
Handel K.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
68.
Universal high level logic monolithic circuits
机译:
通用高级逻辑单片电路
作者:
Longo T.A.
;
Feinberg I.
;
Bohn R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
69.
An ultra-low noise PPM focused TWT
机译:
专注于PPM的超低噪声TWT
作者:
Berger N.W.
;
DeGrasse R.W.
;
Raub W.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
70.
2.5 Watt, X-band traveling-wave tube for the COMSAT program
机译:
2.5瓦X波段行波管,用于COMSAT程序
作者:
Arnold C.
;
Foster J.
;
Long J.
;
Weston R.
;
Wada G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
71.
RF-Diagnosis of magnetron-gun-injected hollow beams
机译:
磁控枪注入空心梁的射频诊断
作者:
Demmel E.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
72.
Recent work on the direct generation of microwaves in bulk semiconductors
机译:
在体半导体中直接产生微波的最新工作
作者:
Gunn J.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
73.
Electrical properties of the Mo-Si junction
机译:
Mo-Si结的电学性质
作者:
Garnache R.R.
;
Casey J.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
74.
Fundamental limitations in RF switching using semiconductor diodes
机译:
使用半导体二极管进行射频开关的基本限制
作者:
Hines M.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
75.
Design of silicon oxide variable capacitor
机译:
氧化硅可变电容器的设计
作者:
Delord J.F.
;
Hutchins T.
;
Stringer G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
76.
Common emitter current gain degradation of silicon NPN transistors
机译:
硅NPN晶体管的共发射极电流增益降低
作者:
Kang K.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
77.
Limiting layer concentration for thin-film or narrow base devices
机译:
薄膜或狭窄基础设备的极限层浓度
作者:
Rudenberg H.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
78.
Second breakdown: Effects of base drive and structural defects
机译:
第二次故障:基本驱动和结构缺陷的影响
作者:
Schafft H.A.
;
French J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
79.
Spurious mode suppression in high gain, highly efficient, crossed-field amplifiers
机译:
高增益,高效交叉场放大器中的杂散模式抑制
作者:
Cougoule R.L.
;
Hess P.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
80.
Aperture response measurements of storage tubes
机译:
存储管的孔径响应测量
作者:
Reininger W.G.
;
Beran W.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
81.
'Super-power microwave tubes'
机译:
“超功率微波管”
作者:
Eastman L.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
82.
'Why field-effect?'
机译:
“为什么要产生场效应?”
作者:
Grinich V.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
83.
'The Hall effect and its applications'
机译:
“霍尔效应及其应用”
作者:
Weiss H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
84.
Front cover and table of contents
机译:
封面和目录
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
85.
Back cover
机译:
封底
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1963 International》
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