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徐传骧; 金兰香;
不详;
半导体器件; 导电性; 掺杂浓度分布;
机译:衬底硅的掺杂浓度对金属铁电绝缘体半导体电容器保持特性的影响
机译:模拟由于安装应力引起的半导体器件电特性变化:评估器件内部应力分布的影响
机译:器件几何形状和掺杂浓度变化对22nm FinFET电气特性的影响
机译:衬底结晶度控制硅半导体中高集成度器件隔离特性的研究
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:shOC整流器:具有优异正向和反向特性的新型金属半导体器件
机译:半导体测量技术:磷和硼掺杂硅的电阻率和掺杂浓度之间的关系
机译:利用调制光束确定特性的方法,例如半导体材料样品的掺杂浓度分布
机译:能够防止多晶硅电极掺杂浓度不足的半导体器件的栅极图案及其制造方法
机译:绝缘体上硅互补MOS半导体器件绝缘栅双极晶体管的制造方法,涉及通过注入和回火步骤将掺杂浓度的变化长度调整为因子二
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