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DRAM与MRAM结合的固态硬盘及使用MRAM的存储卡

摘要

本发明提供一种DRAM与MRAM结合的固态硬盘,包括主机接口、主控芯片、DRAM、MRAM以及一个或多个NAND芯片,主控芯片包括CPU;NAND芯片存储逻辑物理地址对照表,系统开机时将NAND芯片中的逻辑物理地址对照表加载到DRAM,MRAM包括:写缓存或读写缓存与更新表,更新表用于存储逻辑物理地址对照表的更新记录。本发明还提供一种使用MRAM的存储卡。由于使用MRAM保存更新表,不再需要使用昂贵的、体积大的断电保护系统,就能够安全地存储逻辑物理地址对照表;如果发生断电,DRAM重新从NAND芯片加载逻辑物理地址对照表,开机的速度不受断电影响,是一个费效比很高的方案。

著录项

  • 公开/公告号CN105608016B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海磁宇信息科技有限公司;

    申请/专利号CN201510475085.3

  • 发明设计人 戴瑾;

    申请日2015-08-05

  • 分类号G06F12/02(20060101);

  • 代理机构31287 上海容慧专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人于晓菁

  • 地址 201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层

  • 入库时间 2022-08-23 10:20:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-23

    授权

    授权

  • 2016-06-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/02 申请日:20150805

    实质审查的生效

  • 2016-06-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 12/02 申请日:20150805

    实质审查的生效

  • 2016-05-25

    公开

    公开

  • 2016-05-25

    公开

    公开

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