公开/公告号CN105608016B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 上海磁宇信息科技有限公司;
申请/专利号CN201510475085.3
发明设计人 戴瑾;
申请日2015-08-05
分类号G06F12/02(20060101);
代理机构31287 上海容慧专利代理事务所(普通合伙);
代理人于晓菁
地址 201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层
入库时间 2022-08-23 10:20:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-23
授权
授权
2016-06-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/02 申请日:20150805
实质审查的生效
2016-06-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 12/02 申请日:20150805
实质审查的生效
2016-05-25
公开
公开
2016-05-25
公开
公开
机译: 非易失性mram单元及其操作方法,以及使用该非易失性mram单元的超大规模大规模集成多基MRAM
机译: SOT-MRAM磁隧道结合SOT-MRAM的合成自由层
机译: 使用磁场屏蔽结构从外部磁场MRAM的MRAM保护