一种MOSFET BSIM4子电路器件模型及其建模方法

摘要

本发明公开了一种MOSFET BSIM4子电路器件模型系统及其建模方法，包括标准MOSFET BSIM4子电路模型和全局参数修正模型，所述全局参数修正模型包括：电流值拟合曲线库，包括至少一条沟道长度L方向上的电流值拟合曲线和至少一条沟道宽度W方向上的电流值拟合曲线；参数修正模块，用于对需要修正的N个全局参数分别在L、W和小器件方向上进行修正；和调用模块，用于将修正之后的全局参数调用到所述的标准MOSFET BSIM4子电路模型中。