FLASH芯片及FLASH芯片的擦除方法

摘要

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种FLASH芯片及FLASH芯片的擦除方法。所述FLASH芯片，包括：存储阵列，存储阵列包括m个子存储阵列和冗余单元区域；m个子存储阵列形成于同一阱区；冗余单元区域形成于相邻两个子存储阵列之间；擦除时冗余单元区域中存储单元的漏极悬空；m个子字线驱动电路，m个子字线驱动电路分别连接于m个子存储阵列；每一子字线驱动电路对与其相连接的子存储阵列提供驱动信号；位线选择电路，位线选择电路提供多根位线，连接于存储阵列每列中子存储阵列存储单元的漏极，用于选择子存储阵列中存储单元。本发明实施例提供的FLASH芯片提高了擦除性能，减少了FLASH芯片的擦除时间，进而提升了擦除效率。