FLASH芯片寿命试验设计及测试方法

摘要

卫星数传综合处理器采用了NAND FLASH芯片作为主要的存储介质。芯片资料显示,FLASH芯片具有十万次擦写寿命。随着芯片的使用老化,其坏区将逐渐增加。但在实际使用中,FLASH芯片的坏区增长与擦写次数为怎样的关系,目前尚未有实际实物参照数据。通过FLASH芯片寿命试验,在地面模拟FLASH芯片在空间连续加电并多次擦除、写和读操作,经过10万次擦除试验后芯片坏区并未增加,总坏区比例不超过厂家指标值。