公开/公告号CN105047647B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-26
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201510426779.8
发明设计人 王辉;
申请日2015-07-20
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 10:18:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-26
授权
授权
2015-12-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/544 申请日:20150720
实质审查的生效
2015-12-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20150720
实质审查的生效
2015-11-11
公开
公开
2015-11-11
公开
公开
机译: 对准标记和使用该对准标记的光刻方法,以消除工艺偏差误差
机译: 对准标记和使用该对准标记的光刻方法,以消除工艺偏差误差
机译: 衬底对准标记在外延沉积工艺中的利用