基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的GaN太赫兹肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有GaN肖特基二极管掺杂迁移率低，串联电阻大，截止频率低的问题。包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上包括：(1)半绝缘SiC衬底、(2)GaN缓冲层、(3)AlGaN/GaN异质结多沟道层、(4)GaN帽层，辅体部分包括：(5)欧姆接触电极(阴极)、(6)肖特基势垒接触电极(阳极)、(7)空气桥、(8)背金层。其中：AlGaN/GaN异质结多沟道层采用AlGaN/GaN类超晶格结构，该类超晶格有2到6个周期，每个周期中GaN层和AlGaN层的厚度均为10‑20nm，且AlGaN层中的Al组分为30％。本发明能够避免传统的n型掺杂工艺，利用极化形成的多层二维电子气沟道来提高电子迁移率，减小串联电阻，提高截止频率，适用于太赫兹频段工作。