带P型终端的AlGaN/GaN异质结多沟道功率二极管及制作方法

摘要

本发明公开了一种带P型终端的AlGaN/GaN异质结多沟道功率二极管，主要解决现击穿电压和导通电流密度低的问题。其自下而上包括衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、多沟道层、GaN帽层和钝化层，该多沟道层和GaN帽层的两侧为阴极，中间为圆形槽状阳极，且阳极上端与槽口上表面有水平方向上的交叠，该GaN帽层的上部与阳极上端水平部分之间设有环状P型终端，该多沟道层包括n组沟道，每组由上AlGaN势垒层、AlN插入层和下GaN沟道层组成。本发明能缓解阳极附近电场集中现象，提高击穿电压，同时加强沟道对电子限制，提高电流密度，获得更好的功率特性，可用作电力系统的核心器件。