无包层单量子阱II-VI族激光二极管

摘要

一种无半导体包层的单量子阱II-VI族激光二极管，它包括由覆盖在n型GaAs衬底上的p型和n型光导层。CdSe/ZnSe短周期应变层超晶格单量子阱有源层位于两导向层之间。Au电极从与单量子阱有源层相反的一方覆盖在p型导向层之上。导向层的厚度使衬底和Au电极能把器件产生的光束约束在有源层和导向层之间。