降低多孔low-k材料的k值的互连工艺

摘要

本发明提供了一种降低多孔low‑k材料的k值的互连工艺，半导体器件衬底包括所述前段互连工艺形成的第一沟槽及其内的填充金属，包括：在半导体器件衬底上依次沉积第一阻挡层和low‑k材料；对所沉积的low‑k材料进行第一紫外固化工艺；在low‑k材料中形成第二沟槽，并刻蚀掉第二沟槽底部的第一阻挡层；在第二沟槽中进行金属填充，然后对所填充的金属进行化学机械研磨至low‑k材料表面；对low‑k材料进行第二紫外固化工艺，以形成多孔low‑k材料；在多孔low‑k材料表面和所填充的金属表面沉积第二阻挡层；本发明利用互连通孔的支撑作用，避免low‑k材料发生收缩，提高了孔隙率并降低了k值，克服了传统工艺中low‑k材料发生严重收缩导致k值降低的问题。