后段铜互连工艺中降低通孔间介质材料的K值的方法

摘要

本发明提供了后段铜互连工艺中降低通孔间介质材料的K值的方法，通过在沉积阻挡层之后，沉积氧化硅薄膜，并在沉积low‑k介质材料之前将非通孔区域的氧化硅薄膜刻蚀掉，保留通孔区域的氧化硅薄膜；这样，在后续刻蚀通孔的过程中，由于氧化硅薄膜较硬且刻蚀速率低，从而在氧化硅薄膜侧壁形成斜面，并且在阻挡层侧壁也形成斜面，这两层斜面共同构成通孔斜面；因此，相比于现有工艺制备的通孔斜面，本发明作制备的通孔斜面的高度和角度均增加，避免了通孔切角太小导致金属件击穿漏电的发生；而且，相比于现有工艺中low‑k介质材料底部具有氧化硅和氮掺杂碳化硅而导致通孔间将介质材料K值升高的问题。