一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法

摘要

本发明公开一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法，属于半导体技术领域。金字塔结构是在激光打孔得到的蓝宝石衬底上直接生长的，不仅操作简便而且形成3D的孔结构可用于减小位错和应力，并且相互分立的金字塔阵列为实现无机的柔性LED提供了可能性；通过沉积透明导电薄膜保证p面金字塔电流分布的均匀性；用绝缘材料填充金字塔之间的空隙，以实现金字塔的平整化；采用石墨烯等新型材料实现金字塔之间的电学相连，同时将石墨烯转移和衬底转移步骤合二为一，在简化工艺的同时保证了石墨烯的完整性；巧妙利用了激光打孔伸生长的金字塔结构背面的凸起，在无需掩膜的情况下可实现局域性光刻，以及量子阱的侧壁保护以及u‑GaN的刻蚀。