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非易失性半导体存储单元结构及其制作方法

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一种非易失性半导体存储单元结构及其制作方法，提供一基底，于基底中形成一浅第一型阱、一第二型阱以及一深第一型阱。接着在基底上形成堆栈栅。之后再形成源极与漏极。其中，源极的分布深度贯穿浅第一型阱并与第二型阱相连接，而漏极位于浅第一型阱表面处，且源极与漏极皆为第二型掺杂。

著录项

公开/公告号CN1302555C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-02-28

原文格式PDF
申请/专利权人力晶半导体股份有限公司;
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申请/专利号CN01134833.X
发明设计人杨青松;沈士杰;徐清祥;
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申请日2001-11-15
分类号H01L27/112(20060101);H01L21/8246(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王学强
地址台湾新竹科学工业园区力行-路12号
入库时间 2022-08-23 08:59:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-01-19

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/112 授权公告日:20070228 终止日期:20091215 申请日:20011115

专利权的终止
2011-01-19

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/112 授权公告日:20070228 终止日期:20091215 申请日:20011115

专利权的终止
2007-02-28

授权

授权
2007-02-28

授权

授权
2005-03-16

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20050218 申请日:20011115

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2005-03-16

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20050218 申请日:20011115

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2005-03-16

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20050218 申请日:20011115

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-12-15

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-12-15

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-05-28

公开

公开
2003-05-28

公开

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