一种低压铝栅器件的加工方法及低压铝栅器件

摘要

本发明提供一种低压铝栅器件的加工方法及低压铝栅器件；涉及半导体MOS制造工艺技术领域，为解决现有技术中低压铝栅应用电压偏低导致的有时不能满足需求的问题而发明；其中，低压铝栅器件包括第一MOS器件和第二MOS器件，所述第一MOS器件的隔离环与源漏极之间存在第一距离；所述第二MOS器件的隔离环与源漏极之间存在第二距离。本发明提供的方案应用电压相对较高，在生产成本未增加的前提下进一步满足了应用需求。