公开/公告号CN104867829B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-10
原文格式PDF
申请/专利权人 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司;
申请/专利号CN201410057290.3
申请日2014-02-20
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构11343 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人尚志峰;汪海屏
地址 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层
入库时间 2022-08-23 10:13:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-10
授权
授权
2015-09-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20140220
实质审查的生效
2015-08-26
公开
公开
机译: 具有栅绝缘层的不同厚度的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的形成方法,该不同厚度的层可以改善低电压金属氧化物半导体场效应晶体管器件和高电压金属氧化物半导体器件的性能
机译: 互补金属氧化物半导体器件以及形成金属氧化物半导体器件和互补金属氧化物半导体器件的方法
机译: 金属氧化物半导体器件,其与铜硫化物的金属氧化物半导体的薄膜晶体管形成PN结,并制造该金属氧化物半导体器件