机译:80-100 V低侧横向双扩散金属氧化物半导体器件,侧面隔离为0.35 µm互补金属氧化物半导体兼容工艺
Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500 Lioufeng Rd., Wufeng Dist., Taichung City, Taiwan,Department of Medical Research, China Medical University Hospital, China Medical University, Taichung, Taiwan;
Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500 Lioufeng Rd., Wufeng Dist., Taichung City, Taiwan;
Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500 Lioufeng Rd., Wufeng Dist., Taichung City, Taiwan;
Charge balance; Linear p-top; Multiple RESURF; Side isolation; Specific on-state resistance;
机译:通过12/25/5/40 V双极互补金属氧化物半导体双扩散金属氧化物半导体工艺制造450 V额定绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体工艺体硅基板
机译:互补金属-氧化物-半导体兼容工艺制造的锗纳米线金属-氧化物-半导体场效应晶体管
机译:用于光电集成电路器件的互补金属氧化物半导体兼容的背面照明光电二极管
机译:高k电介质在横向双漫射金属氧化物半导体中的应用
机译:互补金属氧化物半导体兼容器件的化学机械抛光和旋涂介电层间介电层的研究
机译:通过覆盖层的氧化作用进行低温处理的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:80-100 V低端横向双扩散金属氧化物半导体器件,侧面隔离为0.35μmCMOS兼容过程