激光退火装置和半导体设备制造方法

摘要

本发明提供一种激光退火方法和半导体设备制造方法。在以处于20到200cm/s之间的恒速移动基底的同时，激光束斜向照射半导体基底表面上的半导体膜。移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置反复地移动一个等于或大于基底一条边长度的距离，在反复移动方向的垂直方向上移动一个等于或小于该激光束以所述的垂直方向在该基底上照射的区域的长度的距离。因此即使是大尺寸基底上的半导体膜，也可以照射均匀的激光束，从而制造出防止或减少了同心圆产生的半导体设备。通过将多束激光束聚光成一个光流，可以防止或减少同心圆图案的产生，从而提高了半导体设备的可靠性。