半导体晶片的键合减薄优化方法

摘要

一种半导体晶片的键合减薄优化的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有器件面和与器件面相对的背面，所述半导体衬底具有中心区域和边缘区域，且所述边缘区域半导体衬底具有与水平面相对倾斜的表面；沿所述器件面向背面的方向，去除边缘区域部分厚度的半导体衬底；在所述去除边缘区域部分厚度的半导体衬底器件面形成氧化层；提供载体，将所述具有氧化层的半导体衬底器件面与载体的键合面进行键合；沿所述半导体衬底背面向器件面的方法，减薄所述半导体衬底至预定厚度。本发明提高半导体衬底器件面与载体的键合强度，优化键合性能，避免发生半导体衬底从载体表面脱落的问题，从而杜绝了半导体衬底破裂问题，提高半导体晶片键合减薄良率。