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机译:浮动区硅晶片通过在室温下的红外互补金属氧化物半导体图像传感器在室温下通过表面活化键合粘合到Czochralski硅衬底
SUMCO Corp Imari Saga 8494256 Japan;
SUMCO Corp Imari Saga 8494256 Japan;
TOF; time of flight; CIS; imaging sensor; surface activated bonding; SAB; infrared;
机译:室温粘合硅在绝缘体晶片上,具有通过退火的沉积硅氧化层和表面活化粘合而形成的致密掩埋氧化物层
机译:Czochralski单晶棒生长的浮区硅片中长时间高温退火造成的沉淀
机译:在室温下通过表面活化粘合用碳化硅绝缘层的绝缘体晶片在绝缘体晶片上制造
机译:低温晶片在晶圆粘接技术中将RF-MEMS,无源和CMOS-IC的集成在硅衬底上
机译:CZOCHRALSKI硅晶圆中的裸露区域。
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:CZOCHRALSKI硅晶圆中的裸露区域。
机译:Czochralski硅基板的快速热处理:缺陷,裸露区域和少数载流子寿命