The University of Arizona.;
机译:铜和镍的共沉淀对直拉硅中裸露区形成的影响*
机译:重掺杂锗的直拉硅中锗的裸露区形成
机译:镍沉淀对切克劳斯基硅中裸露区形成的影响
机译:Czochralski硅晶片快速热过程形成氮掺杂对剥离区的影响
机译:硅,绝缘体上硅和锗硅晶片的光致发光。
机译:使用剥蚀器/过滤器研究萜品醇+臭氧或萜品醇+硝酸根自由基反应产物
机译:CZOCHRALSKI硅晶圆中的裸露区域。
机译:Czochralski硅基板的快速热处理:缺陷,裸露区域和少数载流子寿命