用于FinFET标准单元中多晶硅单元边缘结构的布局验证方法

摘要

本发明公开了一种使用具有OD边缘上多晶硅的finFET标准单元结构的标准单元的方法。使用finFET晶体管限定标准单元并且标准单元具有与半导体鳍相交的交叉点处形成晶体管的栅极结构。多晶硅伪结构形成在标准单元的有源区或者OD区域的边缘上。在设计流程中，用于标准单元的预布局网表原理图包括与标准单元的边缘上的多晶硅伪结构对应的三端子MOS器件。在自动置放和布线处理之后使用标准单元形成器件布局，提取后布局网表。如果两个标准单元相互邻接，在共同边界上形成一个多晶硅伪结构。然后进行布局的布局与原理图对比，对比预布局网表与后布局网表以验证获得的布局。也公开了其他的方法。本发明还公开了用于FinFET标准单元中多晶硅单元边缘结构的布局验证方法。